L’iniziativa di Toshiba si inserisce in uno sforzo più ampio, sostenuto dal governo di Tokyo, di espandere la capacità produttiva di semiconduttori del Giappone.
Toshiba ha annunciato che costruirà un nuovo impianto per la produzione di semiconduttori di potenza con wafer da 300 mm presso il suo sito produttivo di semiconduttori discreti Kaga Toshiba Electronics Corporation, nella prefettura di Ishikawa. La costruzione avverrà in due fasi, modulando il ritmo degli investimenti in funzione delle tendenze del mercato, con la fine della prima fase e la piena operatività dell’impianto prevista per fine 2024. Quando la Fase 1 avrà raggiunto la piena capacità, la produzione di dispositivi di potenza sarà 2,5 volte superiore rispetto a quella del 2021.
I dispositivi di alimentazione sono componenti essenziali per gestire il consumo di energia in ogni tipo di apparecchiatura elettronica e per migliorare l’efficienza energetica nel percorso verso una società carbon neutral. In questo settore la domanda di semiconduttori sta crescendo rapidamente spinta dall’elettrificazione dei veicoli e dall’automazione industriale, con una domanda particolarmente forte di MOSFET a bassa tensione e IGBT. Ad oggi, Toshiba ha soddisfatto la crescita della domanda aumentando la capacità di produzione delle linee da 200 mm e anticipando l’inizio della produzione su linee da 300 mm a metà 2022 (inizialmente la transizione era prevista per metà 2023). Le decisioni sulla capacità complessiva del nuovo stabilimento, sugli investimenti in attrezzature e sull’inizio della produzione terranno conto dell’andamento del mercato.
La nuova fabbrica avrà una struttura antisismica con sistemi BCP potenziati, doppie linee di alimentazione e l’impiego delle più efficienti apparecchiature di produzione al fine di ridurre l’impatto ambientale. L’obiettivo finale di Toshiba è quello di raggiungere “RE100”, ovvero di fare affidamento al 100% sulle energie rinnovabili. L’introduzione di processi assistiti dall’intelligenza artificiale e di sistemi automatizzati di trasporto dei wafer consentiranno di aumentare la qualità dei prodotti e di migliorare l’efficienza produttiva.
Toshiba continuerà ad ampliare la sua capacità produttiva di semiconduttori di potenza e aumenterà la competitività mediante investimenti in nuovi impianti e in ricerca e sviluppo che le consentiranno di rispondere alla crescente domanda. L’inizio dei lavori è previsto per la primavera 2023.
Le altre iniziative del Giappone
Come in Europa e negli Stati Uniti, anche il governo giapponese sta cercando di incrementare la produzione nazionale di semiconduttori. A fine 2020 il governo ha approvato finanziamenti per 774 miliardi di yen (6,8 miliardi di dollari USA) per l’industria manifatturiera locale, la maggior parte dei quali dovrebbe finanziare la capacità di produzione di chip all’avanguardia. Le sovvenzioni riguardano anche circuiti integrati analogici e chip di gestione dell’alimentazione nonché fondi per la ricerca e sviluppo relativi a nuovi materiali.
Questi finanziamenti consentiranno di dare vita a nuove iniziative come l’annunciata joint venture tra TSMC e Sony che dovrebbe diventare operativa entro la fine del 2024.
TSMC ha stretto un accordo con Sony per realizzare un impianto per la produzione di semiconduttori con nodo di processo a 22 e 28 nm a Kumamoto. La produzione dovrebbe soddisfare le esigenze di Sony nel campo dei sensori di immagine CMOS e nei processori automobilistici, nonché garantire i chip utilizzati nelle soluzioni per guida autonoma di Toyota.
Sony ha anche ampliato l’impianto di Isahaya, nella prefettura giapponese di Nagasaki, dove produce principalmente sensori di immagine CMOS per smartphone. Una nuova fabbrica, denominata Fab5, è stata costruita in precedenza ed è diventata operativa l’anno scorso.
Probabilmente anche i nuovi fab per la produzione di memorie che saranno realizzati da Kioxia (ex Toshiba Memory) e Micron Technology riceveranno sussidi governativi; Kioxia sta costruendo un altro fab per NAND 3D a Kitakami, nella prefettura di Iwate, mentre Micron sta cercando di espandere la capacità del suo sito produttivo di DRAM nella prefettura di Hiroshima. Le nuove iniziative di Kioxia e Micron dovrebbero diventare operative, rispettivamente, nel 2023 e nel 2024.
