Diodes Incorporated presenta il gate driver high-side e low-side DGD0579U. Questo dispositivo ad alta frequenza, che dispone di un diodo bootstrap integrato, è in grado di pilotare due MOSFET a canale N nelle configurazioni a semiponte comunemente utilizzate per il controllo del motore e le funzioni di erogazione di potenza DC-DC. Il dispositivo è indicato per applicazioni ad alta potenza, come utensili elettrici senza fili, e-bike e apparecchiature robotizzate autonome, dove vi sono crescenti richieste di elevata efficienza accompagnate da una maggiore compattezza.
Il driver high-side flottante da 100 V del DGD0579U offre una maggiore flessibilità per applicazioni spinte ad alta potenza. Ritardi di propagazione particolarmente brevi (tipicamente 60 ns) e adattamento del ritardo (entro 10 ns) consentono velocità di commutazione più elevate e ridotti tempi morti, per implementazioni di sistemi di alimentazione più piccole ed efficienti.
Gli avanzati sistemi di protezione del MOSFET sono direttamente integrati nel dispositivo, migliorando l’affidabilità del sistema, ottimizzando l’utilizzo dello spazio sulla scheda e riducendo ulteriormente il numero di componenti rispetto alle tradizionali soluzioni discrete. Questi meccanismi includono la prevenzione della conduzione incrociata, in modo che i MOSFET high-side e low-side non siano attivi contemporaneamente, e il blocco di sottotensione (UVLO) per affrontare potenziali perdite di alimentazione.
Dotato di un pin di abilitazione per la gestione dell’alimentazione e di una bassissima corrente di standby (<1μA), il DGD0579U contribuisce a prolungare i tempi di funzionamento della batteria. Compatibile con i segnali di controllo dei microcontrollori e dei controller PWM, il DGD0579U supporta ingressi a livello logico TTL e CMOS (fino a 3,3 V).
Il gate driver DGD0579U è disponibile in package compatto W-DFN3030-10, con un ingombro di 3 mm x 3 mm e un’altezza di 0,75 mm; il costo unitario è di 0,47 USD per lotti di fornitura minimi di 1000 pezzi.
