Murata annuncia la disponibilità della serie DFE21CCN_EL di induttori di potenza per smartphone 5G. Destinati all’uso nei convertitori DC/DC e nei circuiti di gestione dell’alimentazione, questi componenti rappresentano importanti miglioramenti nei parametri delle prestazioni operative rispetto agli induttori convenzionali dell’azienda. Presentano un aumento del 20% della corrente di saturazione (Isat) e una riduzione del 50% della resistenza DC (RDC) rispetto ai loro predecessori. Questi parametri aiutano ad aumentare i livelli di efficienza operativa e consentono il ridimensionamento dei progetti.
I nuovi induttori Murata si avvalgono della lunga esperienza dell’azienda nella scienza dei materiali, con nuovi materiali metallici appositamente sviluppati e una tecnica di stampaggio ottimizzata. Gli innovativi elettrodi a forma di L consentono a questi componenti di raggiungere livelli di densità notevolmente più elevati rispetto a quelli di altri produttori.
Il DFE21CCNR24MEL ha un valore di induttanza di 0,24 µH, con un RDC di 20 mOhm (Max) e un Isat di 6,5 A (Max).
Per DFE21CCNR47MEL, i valori chiave sono 0,47 µH per l’induttanza, 29 mOhm (max) per RDC e 4,8 A (max) per Isat.
Il DFE21CCN1R0MEL da 1,0 µH e il DFE21CCN2R2MEL da 2,2 µH hanno rispettivi valori RDC tipici di 60 mOhm e 138 mOhm, con valori Isat di 3,3 A e 2,1 A.
I componenti della serie DFE21CCN_EL di Murata sono forniti nel formato 0805 (1,25 x 2,0 mm).
“In circostanze normali, se si cerca di migliorare il valore Isat di un induttore di potenza, il suo RDC ne risentirà di conseguenza“, spiega Tomohiro Yao, divisione EMI, direttore generale del dipartimento marketing e promozione, presso Murata. “Grazie ai progressi tecnologici che siamo stati in grado di implementare, sia dal punto di vista dei processi che da quello strutturale, siamo riusciti a migliorare Isat e RDC contemporaneamente, senza compromessi“.
Ulteriori informazioni sul prodotto sono disponibili al seguente link.
