AMERICA & GLOBAL
Altra settimana positiva per le borse americane che beneficiano delle positive trimestrali rilasciate durante la prima settimana di maggio. Ne traggono vantaggio soprattutto il Dow Jones e l’S&P 500 che raggiungono nuove quotazioni record. Venerdì riprende quota anche il Nasdaq Composite dopo la diffusione del deludente dato sulla creazione di nuovi posti di lavoro ad aprile, appena 266 mila unità contro l’attesa di un milione di nuovi occupati; ritorna a salire, di conseguenza, anche il tasso di disoccupazione che si porta al 6,1%.
Questo fatto allontana, nella logica degli investitori, la possibilità che l’attuale politica monetaria della Fed possa finire in anticipo, come era stato paventato alcuni giorni fa. Ciò significa ancora tassi bassi e magari altri aiuti statali all’economia e ai cittadini, anche se, secondo alcuni, sono proprio i troppi aiuti che determinano questa situazione, con molte persone che preferiscono vivere di sussidi piuttosto di cercare un posto di lavoro.
Anche perché, nella fascia più bassa del mercato del lavoro, l’importo dei sussidi supera spesso quello dello stipendio.
Secondo alcuni analisti il rallentamento nel ritmo delle assunzioni potrebbe continuare fino a settembre, quando si esauriranno gli aiuti statali contro la disoccupazione.
I deludenti dati sull’occupazione hanno provocato forti oscillazioni nel mercato obbligazionario con il T-bond a 10 anni che ha chiuso, alla fine, in linea con i rendimenti della settimana scorsa, all’1,576%.
Forti anche le ripercussioni sul mercato dei cambi con il dollaro che si è indebolito e che ha raggiunto nei confronti dell’euro un tasso di cambio di 1,216 circa.
Venerdì, di fronte ai segnali di rallentamento dello slancio economico, gli investitori sono tornati rapidamente ad accumulare titoli azionari, in particolare quelli del settore tecnologico.
La preoccupazione degli investitori riguarda ora il prezzo delle materie prime, in continuo aumento, e i problemi alla catena di approvvigionamento che manifesta ulteriori criticità, specie in alcuni settori come quello dei semiconduttori. Il timore riguarda il possibile rallentamento della ripresa economica in atto, con la carenza di chip che potrebbe estendersi dal settore dell’auto ad altri comparti industriali, mentre l’aumento dei prezzi delle materie prime potrebbe innescare un rapido incremento dell’inflazione costringendo le autorità monetarie ad aumentare i tassi di interesse con tutte le implicazioni del caso sui mercati azionari e obbligazionari.
Per il momento, comunque, l’aumento riguarda solamente gli indici di Borsa: in settimana il Dow Jones sale del 2,67% a quota 34.777 punti, nuovo record assoluto, portando il guadagno da inizio anno al 13,63%; l’S&P 500 guadagna l’1,23%, a quota 4.232 punti, altro record assoluto, portando la performance da inizio anno al +12,69%. Nonostante la ripresa di venerdì, il Nasdaq Composite chiude la settimana con una perdita dell’1,50%, a quota 13.752 punti, con un guadagno da inizio anno che scende al 6,70%.
Insieme al Nasdaq, arretrano in settimana la maggior parte degli indici tecnologici. Molto consistente è la perdita di Tesla (-5,27%) e di Amazon (-5,07%); dall’inizio dell’anno Tesla perde il 4,76% mentre Amazon mette a segno un risicato +1,06%.
Arretrano anche Facebook (-1,85% in settimana e +16,81% ytd), Netfix (-1,88% e -6,92% ytd), Twitter (-2,59% e -0,66% ytd) e Apple (-0,95% e -1,87% ytd).
Chiude la settimana praticamente invariato l’indice PHLX Semiconductor (SOX) dell’industria dei semiconduttori che conferma così il guadagno dell’11,34% da inizio anno.
Questa settimana a guidare la classifica delle società con le migliori performance sono Texas Instruments (+4,02%), NXP Semiconductors (+2,81%) e Analog Devices (+2,68%), tutte società molto attive nei mercati industriale e automotive.
Le peggiori performance riguardano CMC Materials (-9,24%), IPG Photonics (-9,12%) e II-IV Incorporated (-5,21%), tutte società che hanno presentato in settimana i risultati finanziari del primo trimestre 2021. Come in altri casi, i risultati ottenuti sono di tutto rispetto ma, evidentemente i mercati avevano già scontato i guadagni e probabilmente si aspettavano qualcosa in più.
Per quanto riguarda i guadagni dall’inizio dell’anno, poco o nulla è cambiato tra le prime posizioni, con le società che forniscono impianti e servizi saldamente in testa alla classifica con incrementi compresi tra il 30 e il 50%.
Si uniscono a Qualcomm e AMD in fondo alla classifica, le società (IPG Photonics e II-IV Incorporated) che hanno perso molto in settimana.
ASIA
I numerosi giorni di chiusura per festività hanno caratterizzato l’andamento delle borse asiatiche che chiudono fortemente contrastate.
In Cina arretrano sia l’indice Shanghai Composite (-0,81%) che lo Shenzhen Composite (-2,54%) portando le perdite dall’inizio dell’anno, rispettivamente all’1,56% e al 3,81%.
Debole anche la borsa di Hong Kong che perde in settimana lo 0,40% (+5,07% ytd) a quota 28.610 punti.
Tutti in rosso i titoli tecnologici con l’eccezione di Xiaomi che chiude la settimana con un guadagno del 2,64% (-23,95 ytd). Arretrano SMIC (-3,39%, +9,5% ytd), Alibaba Group (-2,31%, -5,50% ytd), Tencent (-3,96%, +6,38% ytd) e Baidu (-9,9%)
Questa settimana guadagna l’1,57% (+11,27% ytd) il KOSPI di Seoul grazie anche al buon andamento di Samsung (+0,49% in settimana e +1,11% ytd) e SK Hynix (+1,17% e +9,28% ytd).
Si interrompe, invece, la corsa della borsa di Taipei che perde in settimana l’1,60% (+17,33%ytd) trascinata dalle cattive performance di UMC (-4,76%) e MediaTek (-10,55%) società che guadagnano, comunque, dall’inizio dell’anno, rispettivamente il 14,53% e il 41,90%. Nel caso di Media Tek, nonostante l’ottima trimestrale e l’outlook positivo, gli investitori hanno evidentemente ritenuto che il guadagno fin qui messo a segno dalla società fosse eccessivo.
Trascinato dal buon andamento delle borse americane, chiude la settimana con un guadagno dell’1,89% (+6,97% ytd) l’indice Nikkei 225 della borsa giapponese.
In controtendenza, seguendo anche in questo New York, i titoli tecnologici e quelli dell’industria dei semiconduttori. Renesas perde il 2,75% (+14,92% dall’inizio dell’anno), Rohm arretra del 2,03% (+6,21% ytd), Advantest perde lo 0,67% (+33,38% ytd) e Murata arretra dello 0,32% (-6,32% ytd).
In controtendenza il produttore di impianti per l’industria dei semiconduttori Tokyo Electron dopo la diffusione del bilancio annuale; la società guadagna in settimana il 3,29% (+29,97& ytd).
EUROPA
Settimana positiva in Europa e in Italia grazie alle ottime trimestrali rilasciate in questi giorni e ad una graduale riapertura delle attività economiche.
L’indice STOXX Europe 600 guadagna l’1,72% (+11,16% ytd) mentre l’FTSE MIB chiude la prima settimana di maggio con un incremento dell’1,95% a quota 24.612 punti e un guadagno dall’inizio dell’anno del 10,70%.
Contrastati gli indici dei semiconduttori con Infineon Technologies che perde il 3,19% (+3,54% ytd), a quota 32,50 euro per azione, dopo la presentazione dei – più che buoni – conti trimestrali. In settimana perde lo 0,71% (+2,18% ytd) STMicroelectronics a quota 30,94 euro.
Chiudono in terreno positivo anche ASML (+0,5% in settimana e +36,81% ytd) e NXP Semiconductors (+2,81% e +24,47 ytd).
Dopo la presentazione dei conti trimestrali, i primi dopo l’integrazione di OSRAM, guadagna il 15,41% ams, riducendo la perdita dall’inizio dell’anno al 5,63%. La società, che si chiamerà ams OSRAM, ha evidenziato ricavi complessivi nel primo trimestre 2021 per 1.549 milioni di dollari, un fatturato che fa di ams OSRAM uno dei più importanti gruppi d’Europa nel campo dei semiconduttori e dell’elettronica (NXP, per fare un paragone, ha fatturato nello stesso periodo 2.567 milioni di dollari).
PRODOTTI
Per quanto riguarda i nuovi prodotti, in settimana, Infineon Technologies ha presentato tre nuovi dispositivi.
Il primo è un nuovo modulo di alimentazione con tecnologia MOSFET CoolSiC per il mercato automobilistico.
Il dispositivo di potenza HybridPACK Drive CoolSiC è un modulo full-bridge con tensione massima di 1200 V ottimizzato per gli inverter di trazione nei veicoli elettrici (EV).
Il modulo di alimentazione si basa sulla tecnologia CoolSiC trench MOSFET per applicazioni automotive ad alta densità di potenza e ad alte prestazioni. L’elevata efficienza energetica consente di ottenere una maggiore autonomia e costi inferiori per la batteria, in particolare nei veicoli con sistemi a 800 V a grande capacità.
L’HybridPACK Drive è stato introdotto per la prima volta nel 2017, utilizzando la tecnologia EDT2 al silicio di Infineon, ottimizzata per offrire la migliore efficienza su un ciclo di guida reale. Offre una gamma di potenza scalabile da 100 kW a 180 kW nella classe 750 V e 1200 V. Questo prodotto è il modulo di alimentazione leader di mercato con oltre un milione di pezzi spediti per oltre 20 piattaforme di veicoli elettrici. La nuova versione CoolSiC si basa sulla struttura trench MOSFET in carburo di silicio. Rispetto alle strutture planari, la tecnologia trench consente una maggiore densità con la migliore cifra di merito. Ciò significa che i MOSFET realizzati con tecnologia trench possono essere utilizzati con inferiore intensità del campo di gate, con conseguente maggiore affidabilità.
Il modulo di alimentazione consente di passare facilmente da una soluzione al silicio ad una al carburo di silicio con un ingombro simile. La nuova soluzione consente all’inverter di raggiungere una potenza maggiore, fino a 250 kW nella classe 1200 V, una maggiore autonomia, batterie più piccole e costi di sistema ottimizzati. Al fine di offrire un rapporto costo-prestazioni ottimale per diversi livelli di potenza, questo prodotto è disponibile in due versioni con chip differenti, con correnti di 200 A DC o 400 A nella classe 1200 V.
Il nuovo HybridPACK Drive CoolSiC è già in produzione e sarà disponibile a partire da giugno 2021. Ulteriori informazioni sono disponibili al seguente link.
Il secondo annuncio riguarda l’espansione della Famiglia XDP di controller per conversione switching col primo prodotto standard specifico per l’applicazione basato su una topologia flyback half-bridge asimmetrica.
Disponibile in package DSO-14 SMD, XDPS2201 è un controller flyback ibrido multimodale, digitale e configurabile, altamente integrato, progettato per alimentatori AC-DC ad elevata densità, e applicazioni di caricatori e adattatori rapidi USB PD.
L’XDPS2201 combina la semplicità di una topologia flyback tradizionale con le prestazioni di un convertitore risonante. Questa combinazione consente una commutazione morbida naturale, che riduce le perdite di commutazione associate a progetti con frequenza di commutazione elevata. Il controller consente la commutazione a tensione zero (ZVS) e la commutazione a corrente zero (ZCS) su ingressi di linea CA, con condizioni di carico e tensioni di uscita variabili. Questa funzione è estremamente vantaggiosa per i progetti ad alta frequenza che utilizzano un trasformatore planare come quelli che si trovano nelle applicazioni dei caricabatterie USB PD.
Per ottenere prestazioni ottimizzate in varie condizioni di tensione di uscita, carico e ingresso di linea, XDPS2201 è dotato di un algoritmo digitale, intelligente e autoadattativo. Supporta un’operazione multimodale per garantire che venga selezionata la modalità operativa più adatta per ciascuna condizione in modo da ottenere sempre un elevato livello di efficienza. Il controller flyback ibrido integra anche una suite completa di funzioni di protezione, tra cui brown-in e -out, sovracorrente con doppio livello, sovratensione in uscita, sottotensione in uscita e rilevamento della sovratemperatura.
L’XDPS2201 supporta progetti con la più alta densità di potenza con un’efficienza fino al 93,8% e oltre, con una media del 92% nelle differenti condizioni operative.
L’XDPS2201 è già disponibile in package DSO-14 SMD. Ulteriori informazioni sono disponibili al seguente link.
Il terzo annuncio di Infineon Technologies riguarda la nuova famiglia CoolGaN IPS di prodotti IPS (Integrated Power Stage) al suo ampio portafoglio di dispositivi WBG di alimentazione.
L’attuale portafoglio IPS è costituito da prodotti half-bridge e single-channel, destinati ad applicazioni di potenza medio-bassa, compresi caricabatterie e adattatori e alimentatori switching (SMPS).
Il semiponte IPS IGI60F1414A1L CoolGaN da 600 V è ideale per progetti compatti e leggeri nella gamma di potenza medio-bassa. Disponibile in un package QFN-28 8×8 ottimizzato termicamente, consente sistemi con densità di potenza molto elevata. Il prodotto combina due interruttori HEMT CoolGaN e-mode da 140 milliOhm / 600 V con gate driver dedicati high-side e low-side isolati galvanicamente della famiglia EiceDRIVER.
L’IGI60F1414A1L può essere controllato facilmente grazie al gate driver isolato con due ingressi PWM digitali. La funzione di isolamento integrata, la netta separazione tra massa digitale e di alimentazione e la ridotta complessità del layout PCB sono fondamentali per ottenere tempi di sviluppo più brevi, una BOM ridotta e un costo totale inferiore. L’isolamento da ingresso a uscita del gate driver si basa sulla collaudata tecnologia on-chip coreless transformer (CT) di Infineon. Ciò garantisce alta velocità e ottima robustezza anche per transitori di commutazione estremamente veloci con pendenze superiori a 150 V / ns.
L’IGI60F1414A1L è già in produzione con un package QFN-28 8×8 termicamente avanzato. Ulteriori informazioni sono disponibili al seguente link.
Da parte sua STMicroelectronics ha annunciato una nuova famiglia di soluzioni STi2GaN (Nitruro di gallio intelligente e integrato) STi. STi2GaN è un’offerta innovativa e unica che combina potenza e intelligenza in soluzioni compatte e ad alte prestazioni richieste dall’industria automobilistica nel caso di piattaforme elettrificate.
Basata sulla leadership e sulla forte esperienza automobilistica di ST, sulle innovazioni della tecnologia Smart Power, sui materiali semiconduttori a banda larga e sull’esperienza nel packeging, la famiglia STi2GaN combina uno stadio di potenza monolitico con driver e protezioni in tecnologia GaN così come soluzioni System-in-Package (SiP) per IC specifici con circuiti aggiuntivi di elaborazione e controllo. Le soluzioni STi2GaN utilizzano la nuova tecnologia di packaging bond-wire-free di ST per fornire maggiore robustezza, affidabilità e prestazioni. Ulteriori informazioni sono disponibili al seguente link.
Diodes Incorporated annuncia di aver ulteriormente ampliato il proprio portafoglio di switch video passivi multiplexer / demultiplexer (mux / demux) con l’introduzione del dispositivo PI3WVR14412 a 4 canali. In grado di operare fino a 20 Gbps, questo dispositivo mux / demux 2: 1/1: 2 offre velocità superiori a quelle di altri prodotti sul mercato, con un aumento delle prestazioni del 35% rispetto ai competitor.
PI3WVR14412 è completamente compatibile con gli standard di interfaccia DisplayPort 2.0 e HDMI2.1, presenti nell’ultima generazione di unità di elaborazione grafica (GPU). Le applicazioni principali riguardano workstation mobili, console di gioco, sistemi docking, notebook, monitor, TV e set-top box.
Il PI3WVR14412 consente l’instradamento di segnali video 4K ad alta definizione (HD) e 8K ad altissima definizione (UHD) con una attenuazione del segnale particolarmente contenuta. Questo instradamento può provenire da due sorgenti a un singolo sink o, al contrario, da una singola origine a due sink.
Le elevate velocità raggiunte dal PI3WVR14412 vengono ottenute grazie alla tecnologia proprietaria di Diodes. I canali ad alta velocità di questo dispositivo sono anche in grado di mantenere caratteristiche di integrità del segnale al vertice nel settore. Operando a 10 GHz la perdita di inserzione è di -2dB mentre la perdita di ritorno è tipicamente di -10dB. Il crosstalk da canale a canale è di -35 dB e l’isolamento in condizione off è di -15 dB. Lo skew da bit a bit è normalmente di soli 5ps.
La comunicazione bidirezionale è fornita tramite il canale AUX. Ciò significa che possono essere supportati altri protocolli come USB 2.0, evitando così la necessità di cavi aggiuntivi per l’host e riducendo i costi complessivi del sistema. L’ampio intervallo di tensione del segnale di ingresso (da 0 V a 3,6 V) consente l’accoppiamento diretto di HDMI con polarizzazione VDD e segnali DP con polarizzazione 0. Sono necessari meno componenti passivi, quindi è necessario meno spazio per il PCB. Sono inclusi anche il rilevamento hot plug (HPD) e il canale dati di visualizzazione (DDC), che elimina la necessità di un mux esterno. La temperatura operativa è compresa tra 0 °C e 105 °C.
Questi prodotti sono disponibili in un package TQFN compatto a 40 pin (con dimensioni di 3 x 6 x 0,75 mm); il prezzo unitario parte da 1,70 USD per lotti di 5 mila pezzi.
ON Semiconductor annuncia l’introduzione di nuovi MOSFET a supergiunzione (SJ) e nuovi diodi SiC, come parte delle proprie iniziative nel corso del PCIM Europe Digital Event di quest’anno (dal 3 al 7 Maggio 2021).
L’efficienza e l’affidabilità sono sempre più importanti nelle applicazioni di potenza, non da ultimo per consentire ai produttori di soddisfare gli standard internazionali più rigorosi. I MOSFET SUPERFET® III FAST SJ da 650 V offrono prestazioni di commutazione migliori rispetto agli altri MOSFET a supergiunzione presenti sul mercato, con una migliore efficienza e una maggiore affidabilità a livello di sistema. Queste caratteristiche sono molto richieste in diversi settori applicativi in rapida crescita, che includono il 5G, le stazioni di ricarica per i veicoli elettrici (EV), le telecomunicazioni e i server.
ON Semiconductor introdurrà inoltre i diodi SiC da 1200 V di ultima generazione qualificati AECQ101 per automotive e conformi agli standard industriali, ideali per le applicazioni ad alta potenza come le stazioni di ricarica per i veicoli elettrici e gli inverter solari, i gruppi di continuità, i caricabatterie a bordo dei veicoli elettrici (OBC) e i convertitori DC-DC per veicoli elettrici. I diodi SiC offrono vantaggi significativi rispetto alle soluzioni su silicio, che includono una maggiore affidabilità, una riduzione delle EMI e una semplificazione dei requisiti di raffreddamento. Il nuovo formato introduce miglioramenti rispetto alla prima generazione di diodi SiC, grazie alle dimensioni inferiori del die e a una capacità più ridotta. I diodi NVDSH20120C, NDSH20120C, NVDSH50120C e NDSH50120C assicurano una caduta di tensione diretta inferiore e una corrente nominale 4 volte superiore, con una maggiore escursione del segnale (di/dt) pari a 3500 A/µs. Le dimensioni inferiori del die restituiscono inoltre una resistenza termica inferiore del 20% in un package F2.
Questa settimana ROHM ha annunciato la serie GMR320 di resistori di shunt caratterizzati da una potenza nominale pari a 10 W. La serie GMR320 fa parte della serie GMR a basso valore ohmico e ad alta potenza di ROHM, di cui è il prodotto con la potenza nominale più elevata, studiato per applicazioni ad alta potenza nel settore automotive, nelle apparecchiature industriali e negli elettrodomestici.
In ambito automotive e industriale gli ultimi anni sono stati caratterizzati da una sempre maggior richiesta di diminuzione del consumo di potenza in applicazioni a potenza più elevata. Ciò a sua volta ha fatto nascere l’esigenza di resistori di shunt in grado di supportare un’alta potenza e di garantire un rilevamento di corrente di alta precisione al fine di raggiungere un funzionamento molto efficiente in un’ampia gamma di applicazioni. I resistori di shunt delle serie GMR e PSR di ROHM forniscono una protezione da sovracorrente estremamente precisa, anche ad alte temperature, caratteristica che rende questi prodotti ideali per applicazioni ad alta potenza nei settori automotive, industriale e consumer.
La serie GMR320 di recente sviluppo è disponibile con un range di valori di resistenza che va da 5 milliOhm a 100 milliOhm con una potenza nominale di 10 W, aspetti che la rendono perfetta per le ECU dei motori e i fanali anteriori usati nel settore automotive, nonché per motori e alimentatori destinati ad apparecchiature industriali ed elettrodomestici. Una struttura unica nel suo genere e materiali ottimizzati, consentono alla serie GMR320 di ridurre l’aumento della temperatura superficiale del 23% rispetto ai prodotti standard, garantendo un’elevata resistenza al carico da sovracorrente – a dispetto delle sue dimensioni, le più piccole fra i resistori da 10 W presenti sul mercato. Oltre a ciò, una lega metallica ad alte prestazioni per il materiale resistivo fornisce un basso Coefficiente di temperatura della resistenza (TCR), che permette un rilevamento affidabile ed estremamente preciso della corrente anche per valori di ohmici bassi.
D’altro canto, per la serie PSR ampiamente impiegata come resistore di shunt ad alta potenza, la potenza nominale massima è stata incrementata fino a 15 W ed è stato migliorato anche il valore del TCR applicando il metodo del derating di temperatura del terminale. Sono disponibili valori di resistenza ultra-bassi compresi fra 0,1 mΩ e 3,0 mOhm, inoltre vengono offerte una potenza nominale più elevata e una precisione estrema nel rilevamento della corrente in un package compatto, contribuendo così a una maggiore miniaturizzazione nelle applicazioni automotive e industriali, proprio come per la serie GMR.
