Infineon Technologies ha presentato oggi la memoria flash QSPI NOR da 512 Mbit resistente alle radiazioni per applicazioni spaziali e in ambienti estremi. Il nuovo dispositivo offre un’interfaccia periferica seriale quad veloce (133 MHz) e le massime prestazioni di densità, radiazione ed effetti a evento singolo (SEE) disponibili in una memoria non volatile completamente qualificata QML per l’uso con FPGA e microprocessori di livello spaziale.
Il nuovo dispositivo, finanziato in parte dall’US Air Force Research Laboratory, Space Vehicles Directorate (AFRL) e sviluppato congiuntamente con la Microelectronics Research Development Corporation (Micro-RDC), si basa sulla tecnologia SONOS (Silicon-Oxide Nitride-Oxide-Silicon) di Infineon, ampiamente collaudata sul campo, con funzionamento a velocità fino al 30 percento superiori rispetto alle alternative a densità inferiore.
“I progettisti di sistemi di livello spaziale di prossima generazione continuano a richiedere memorie ad alta affidabilità e alta densità. Lavorare con leader del settore come Infineon e Micro-RDC ha portato a una soluzione tecnologica che combina alta densità e velocità di trasmissione dati elevate con prestazioni di radiazione superiori rispetto alle alternative“, ha affermato Richard Marquez, AFRL Space Electronics Technology Program Manager.
“La memoria flash NOR di Infineon, resistente alle radiazioni per progettazione, è un complemento ideale alla famiglia di soluzioni Micro-RDC per ambienti applicativi estremi”, ha affermato Joseph Cuchiaro, Presidente di Micro-RDC. “Con la disponibilità di memorie con densità di 512 Mbit, i progettisti saranno in grado di implementare sistemi con prestazioni tali da soddisfare requisiti rigorosi in una gamma più ampia di profili di missione rispetto a quanto possibile in precedenza”.
“L’estensione della memoria Flash NOR da 512 Mbit di Infineon al suo portafoglio di memorie rad-hard è un’ulteriore testimonianza del nostro impegno nel fornire memorie altamente affidabili e ad alte prestazioni per i requisiti spaziali di prossima generazione“, ha affermato Helmut Puchner, Vice President, Fellow, Aerospace and Defense, Infineon Technologies. “Questo sforzo collaborativo con AFRL e Micro-RDC fa progredire lo stato dell’arte del settore per affrontare gli ambienti estremi incontrati nelle applicazioni spaziali con una tecnologia che migliorerà le prestazioni nelle funzioni satellitari critiche”.
La tecnologia SONOS di Infineon è alla base di una combinazione unica di densità e velocità, nonché di prestazioni di radiazione insuperabili, con un’eccellente resistenza fino a 10.000 P/E e fino a 10 anni di conservazione dei dati. L’interfaccia QSPI da 133 MHz fornisce elevata velocità di trasferimento dati per FPGA e processori di livello spaziale. Un package QFP ceramico (QML-V) occupa un’area della scheda di 1″ x 1″ ed è disponibile un TQFP in plastica di ingombro ancora più piccolo (QML-P) da 0,5″ x 0,8″. Inoltre, il dispositivo offre la combinazione di prestazioni TID/SEE a densità più elevata per soluzioni di codice di avvio FPGA spaziale mentre il QML-V/P con certificazione DLAM soddisfa le qualifiche di settore più rigorose.
Un tipico caso d’uso per questo dispositivo include l’archiviazione di immagini di configurazione per FPGA di livello spaziale e l’archiviazione di codice di avvio autonomo per processori multi-core di livello spaziale.
La nuova Flash NOR qualificata QML da 512 Mbit di Infineon è già disponibile. Ulteriori informazioni al seguente link.
