I nuovi dispositivi sono particolarmente indicati per applicazioni industriali ed energetiche quali azionamenti motore per aria condizionata, elettrodomestici e automazione di fabbrica, nonché per controlli di potenza in stazioni di ricarica, sistemi di accumulo di energia e unità di alimentazione.
La famiglia STGAP3S di gate driver per interruttori di potenza al carburo di silicio (SiC) e IGBT di STMicroelectronics combina la più recente tecnologia di robusto isolamento galvanico con una protezione ottimizzata dalla desaturazione e un’architettura flessibile Miller-clamp.
Dotato di isolamento galvanico capacitivo rinforzato tra il canale di pilotaggio del gate e il circuito di controllo e interfaccia a bassa tensione, STGAP3S resiste a una tensione di isolamento transitoria di 9,6 kV (VIOTM) con immunità transitoria di modo comune di 200 V/ns (CMTI). Con queste caratteristiche, STGAP3S migliora l’affidabilità negli azionamenti motore per applicazioni industriali come aria condizionata, automazione di fabbrica ed elettrodomestici. I nuovi driver sono utilizzati anche in applicazioni di potenza ed energia, tra cui stazioni di ricarica, sistemi di accumulo di energia, correzione del fattore di potenza (PFC), convertitori DC/DC e inverter solari.
La famiglia di prodotti STGAP3S include diverse opzioni con capacità di corrente di 10A e 6A, ciascuna disponibile con soglie differenziate di Under Voltage Lock-Out (UVLO) e di intervento di desaturazione. Ciò aiuta i progettisti a selezionare il dispositivo migliore per abbinare le prestazioni dei loro switch di potenza SiC MOSFET o IGBT.
La protezione di desaturazione implementa una protezione da sovraccarico e cortocircuito per l’interruttore di alimentazione esterno, offrendo la possibilità di regolare la strategia di spegnimento utilizzando una resistenza esterna per massimizzare la velocità di spegnimento della protezione evitando picchi di sovratensione eccessivi. La protezione di blocco della sottotensione impedisce l’accensione con tensione di azionamento insufficiente.
L’architettura Miller Clamp integrata nel driver fornisce un pre-driver per un MOSFET a canale N esterno. I progettisti possono quindi sfruttare la flessibilità per selezionare una velocità di intervento adatta che impedisca l’accensione indotta ed eviti la conduzione incrociata.
Le varianti disponibili consentono una scelta di capacità di corrente di azionamento sink/source da 10 A e sink/source da 6 A per prestazioni ottimali con l’interruttore di alimentazione scelto con rilevamento della desaturazione e soglie UVLO ottimizzate per la tecnologia IGBT o SiC. Le condizioni di guasto di desaturazione, UVLO e protezione da sovratemperatura vengono notificate con due pin di diagnostica dedicati.
Attualmente la versione STGAP3SXS è già in produzione nel package wide-body SO-16W.
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