Infineon Technologies ha annunciato oggi il lancio di una nuova famiglia di discreti ad alta tensione, i transistor CoolGaN 650 V G5, rafforzando ulteriormente il suo portafoglio di dispositivi al nitruro di gallio (GaN). Le applicazioni target per questa nuova famiglia di prodotti spaziano dagli alimentatori switching (SMPS) consumer e industriali come adattatori e caricabatterie USB-C, illuminazione, TV, raddrizzatori per data center, telecomunicazioni, energie rinnovabili e azionamenti motore peri elettrodomestici.
L’ultima generazione di CoolGaN è progettata come sostituzione immediata per i transistor CoolGaN 600 V G1, consentendo una rapida riprogettazione delle piattaforme esistenti. I nuovi dispositivi forniscono cifre di merito migliorate per garantire prestazioni di commutazione ancora più competitive.
Rispetto ai principali concorrenti e alle precedenti famiglie di prodotti di Infineon, i transistor CoolGaN 650 V G5 offrono fino al 50 percento di energia in meno immagazzinata nella capacità di uscita (Eoss), fino al 60 percento di miglioramento della carica drain-source (Qoss) e fino al 60 percento nella carica di gate (Qg). Insieme, queste caratteristiche si traducono in eccellenti efficienze sia nelle applicazioni di commutazione hard che soft. Ciò comporta una significativa riduzione della perdita di potenza rispetto alla tradizionale tecnologia al silicio, che varia dal 20 al 60 percento a seconda del caso d’uso specifico.
Questi vantaggi consentono ai dispositivi di funzionare ad alte frequenze con una perdita di potenza minima, con conseguente densità di potenza superiore. I transistor CoolGaN 650 V G5 consentono alle applicazioni SMPS di essere più piccole e leggere o di aumentare l’intervallo di potenza in uscita nello stesso fattore di forma.
La nuova famiglia di prodotti offre un’ampia gamma di combinazioni di package e RDS(ON). Sono disponibili 10 classi RDS(ON) in vari package SMD, come ThinPAK 5×6, DFN 8×8, TOLL e TOLT. Tutti i prodotti sono realizzati su linee di produzione da 8 pollici ad alte prestazioni a Villach (Austria) e Kulim (Malesia). In futuro, CoolGaN passerà alla produzione da 12 pollici. Ciò consentirà a Infineon di espandere ulteriormente la sua capacità CoolGaN e garantire una solida catena di fornitura nel mercato dell’energia GaN, che dovrebbe raggiungere i 2 miliardi di dollari entro il 2029, secondo Yole Group.
Una demo con i transistor CoolGaN 650 V G5 sarà presentata in occasione della prossima elettronica 2024 a Monaco di Baviera, dal 12 al 15 novembre (padiglione C3, stand 502).
La famiglia di prodotti CoolGaN Transistor 650 V G5 può essere ordinata da Infineon già ora e dai distributori di e-commerce nelle prossime settimane.
Ulteriori informazioni sono disponibili al link www.infineon.com/gan
