Samsung, arrivata tardi nei segmenti HBM e SSD aziendali, promette di rafforzare la propria leadership nelle memorie NAND con nuove tecnologie.
La competizione che si è scatenata attorno ai chip di memoria HBM tra i giganti del settore, ha fatto passare in secondo piano l’evoluzione delle memorie NAND a più strati che anch’esse, però, sono ideali per le unità a stato solido (SSD) ad alta capacità utilizzate nei data center AI, la cui richiesta è in forte aumento.
A questo proposito, secondo l’ultimo report del Korea Economic Daily, Samsung mira a introdurre NAND verticali a 400 strati entro il 2026 per conquistare una posizione di leadership nel fiorente mercato dello storage guidato dall’AI.
Dopo l’inizio della produzione in serie dei chip flash NAND V9 a 286 strati di Samsung, la divisione Device Solutions dell’azienda punta alla produzione di NAND verticali con un minimo di 400 strati già nel 2026.
Tuttavia anche il principale rivale di Samsung, SK hynix, sta sviluppando NAND a 400 strati, con l’obiettivo di rendere la tecnologia pronta per la produzione di massa più o meno nello stesso nello stesso periodo.
Il rapporto del Korea Economic Daily nota che nei chip NAND convenzionali, le celle di memoria sono impilate sopra i circuiti periferici, che fungono da cervello del chip. Tuttavia, l’impilamento oltre i 300 strati ha spesso causato danni alla periferica.
Nel 2013, Samsung è stata la prima azienda del settore a introdurre chip V NAND con celle di archiviazione impilate verticalmente per massimizzare la capacità.
Per risolvere il problema riscontrato, Samsung starebbe sviluppando la sua V NAND di decima generazione (V10), nella quale intende utilizzare un’innovativa tecnologia di saldatura in cui le celle e i circuiti periferici vengono prodotti separatamente su wafer distinti prima di essere collegati insieme.
Denominata come Bonding Vertical NAND Flash o BV NAND, la tecnologia è stata definita da Samsung come la “NAND dei sogni per l’intelligenza artificiale”, affermando che aumenterà la densità di bit per unità di area di 1,6 volte.
Secondo il report del Korea Economic Daily, la nuova tecnologia dovrebbe supportare stack NAND “ultra-elevati”, offrendo una notevole capacità di archiviazione e un’efficiente dissipazione del calore, il che è ideale per gli SSD utilizzati nei data center AI.
Le ambizioni di Samsung, tuttavia, non si fermano qui. L’azienda sudcoreana prevede di far progredire la sua tecnologia di stacking con il lancio della NAND V11 nel 2027, caratterizzata da un aumento del 50% nella velocità di input e output dei dati. Inoltre, il gigante della memoria mira anche a sviluppare NAND con oltre 1.000 livelli entro il 2030.
Secondo l’ultima ricerca di TrendForce, nel secondo trimestre del 2024 Samsung ha mantenuto la sua leadership globale nel mercato NAND Flash con una quota di mercato del 36,9%, in aumento dello 0,2% rispetto al trimestre precedente. Segue SK Group con una quota del 22,1%, in calo dello 0,1%. Altri attori chiave includono Kioxia (13,8%), Micron (11,8%) e Western Digital (10,5%).
