La fabbrica di Texas Instruments di Aizu, in Giappone, si aggiunge a quella di Dallas, in Texas, per incrementare la produzione e il portafoglio di semiconduttori di potenza basati su GaN utilizzando la tecnologia più avanzata oggi disponibile.
Texas Instruments ha annunciato oggi di aver avviato la produzione di semiconduttori di potenza a base di nitruro di gallio (GaN) presso il suo stabilimento di Aizu, in Giappone. Insieme alla sua attuale produzione di GaN a Dallas, in Texas, TI ora produrrà internamente quattro volte più semiconduttori di potenza basati sulla tecnologia GaN.
“Grazie a oltre un decennio di esperienza nella progettazione e produzione di chip GaN, abbiamo qualificato con successo la nostra tecnologia GaN da 200 mm, il modo più scalabile e competitivo in termini di costi per produrre GaN oggi, per avviare la produzione di massa ad Aizu”, ha affermato Mohammad Yunus, vicepresidente senior di TI per la tecnologia e la produzione. “Questa pietra miliare ci consente di produrre internamente una quantità maggiore dei nostri chip GaN, poiché portiamo la nostra produzione interna a oltre il 95% entro il 2030, garantita da più sedi TI, assicurando una fornitura affidabile dell’intero portafoglio GaN di semiconduttori ad alta potenza ed efficienza energetica”.
La potenza della tecnologia GaN
Alternativo al silicio, il GaN è un materiale semiconduttore che offre vantaggi in termini di efficienza energetica, velocità di commutazione, dimensioni e peso nelle soluzione di alimentazione, riduce il costo complessivo del sistema e offre elevate prestazioni anche in condizioni di alte temperature e alta tensione. I chip GaN forniscono una maggiore densità di potenza, o potenza in spazi più piccoli, consentendo applicazioni come adattatori di alimentazione per laptop e telefoni cellulari, o motori più piccoli e più efficienti dal punto di vista energetico nei sistemi di riscaldamento e condizionamento e negli elettrodomestici.
Oggi, TI offre il più ampio portafoglio di semiconduttori di potenza integrati basati su GaN, che spaziano da bassa ad alta tensione, per consentire l’elettronica più efficiente dal punto di vista energetico, affidabile e ad alta densità di potenza.
“Con la tecnologia GaN, TI può fornire più potenza, in modo più efficiente in uno spazio compatto, che è la principale esigenza di mercato che guida l’innovazione per molti dei nostri clienti”, ha affermato Kannan Soundarapandian, vicepresidente di High-Voltage Power presso TI. “I progettisti che operano nel campo degli alimentatori per server, degli adattatori AC/DC e nei sistemi solari, affrontano ogni giorno sfide per ridurre il consumo di energia e migliorare l’efficienza energetica che possono essere soddisfatte da una fornitura affidabile di chip GaN ad alte prestazioni di TI. Il portafoglio di prodotti di potenza GaN integrati di Texas Instruments consente ai clienti di ottenere una maggiore densità di potenza, una maggiore facilità d’uso e costi di sistema inferiori”.
Inoltre, grazie al processo proprietario GaN-on-silicon dell’azienda, a oltre 80 milioni di ore di test di affidabilità e alle funzionalità di protezione integrate, i chip GaN di TI sono progettati per garantire la massima sicurezza dei sistemi ad alta tensione.
La tecnologia di produzione GaN più avanzata oggi disponibile
Utilizzando le attrezzature più avanzate disponibili oggi per la produzione di chip GaN, la nuova capacità di TI consente di aumentare le prestazioni del prodotto e l’efficienza del processo di produzione, nonché un vantaggio in termini di costi.
Inoltre, gli strumenti più avanzati ed efficienti utilizzati nei nuovi impianti produttivi GaN di TI sono in grado di produrre chip più piccoli, con ancora più potenza. I nuovi processi produttivi presentano il vantaggio di un minore utilizzo di acqua, energia e materie prime, e i prodotti finali che utilizzano chip GaN godono degli stessi vantaggi ambientali.
Progettato per futuri progressi
I vantaggi in termini di prestazioni derivanti dall’ulteriore produzione di GaN da parte di TI consentono inoltre all’azienda di adattare i propri chip GaN a tensioni più elevate, partendo da 900 V e aumentandole nel tempo, favorendo innovazioni in termini di efficienza energetica e dimensioni per applicazioni quali robotica, energie rinnovabili e alimentatori per server.
Nell’ambito del nuovo investimento rientra anche lo sviluppo di processi di produzione GaN su wafer da 300 mm già sperimentati. Gli attuali processi di produzione sono completamente trasferibili alla tecnologia da 300 mm, consentendo all’azienda di adattarsi facilmente alle esigenze dei clienti e passare ai 300 mm in futuro.
Impegno per una produzione responsabile e sostenibile
L’espansione dell’offerta e dell’innovazione nella tecnologia GaN è l’ultimo esempio dell’impegno di TI per una produzione responsabile e sostenibile. TI si è impegnata a utilizzare elettricità rinnovabile al 100% nelle sue attività negli Stati Uniti entro il 2027 e in tutto il mondo entro il 2030.
Ulteriori informazioni sulla produzione GaN di TI:
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