Il gate driver EiceDRIVER 1EDL8011 fornisce un’accensione e uno spegnimento rapidi dei MOSFET a canale N sul lato alto con le sue elevate capacità di corrente di gate.
Nelle applicazioni alimentate a batteria come azionamenti motore e alimentatori switching (SMPS), l’architettura dell’alimentatore spesso richiede che un modulo possa essere scollegato dal rail di alimentazione principale quando si verifica un guasto in quel modulo. Per ottenere questa funzionalità, è comune utilizzare interruttori di disconnessione lato alto (ad esempio MOSFET) per evitare che un cortocircuito del carico influisca sulla batteria. Infineon Technologies ha introdotto EiceDRIVER 1EDL8011, un gate driver lato alto progettato per proteggere le applicazioni alimentate a batteria come utensili elettrici senza fili, robotica, e-bike e aspirapolvere in caso di guasto.
Il dispositivo fornisce un’accensione e uno spegnimento rapidi dei MOSFET a canale N sul lato alto con le sue elevate capacità di corrente di gate. È costituito da una pompa di carica integrata con un condensatore esterno per fornire un forte avvio. La pompa di carica interna fornisce la tensione di gate del MOSFET quando la tensione di ingresso operativa è bassa. Il gate driver gestisce la corrente di spunto e fornisce protezione dai guasti. La protezione da blocco da sottotensione (UVLO) alla tensione di ingresso impedisce al dispositivo di funzionare in condizioni pericolose. Il driver è disponibile in un package DSO-8, rendendolo ideale per progetti con vincoli di spazio. Include protezione da sovracorrente (OCP), soglia di impostazione della corrente regolabile, ritardo temporale e un meccanismo di avvio sicuro con oscuramento flessibile durante le transizioni di accensione del MOSFET.
Il driver 1EDL8011 offre un ampio intervallo di tensione operativa, da 8 V a 125 V, e un’elevata corrente di gate sinking fino a 1 A, consentendo una commutazione efficiente. Inoltre, il prodotto ha una corrente di riposo in modalità off estremamente bassa, di appena 1 µA, contribuendo a ridurre al minimo il consumo di energia in modalità sleep. Il dispositivo include anche una funzione di rilevamento VDS che viene utilizzata per innescare un arresto da sovracorrente monitorando la tensione drain-to-source del MOSFET di disconnessione.
Infineon presenterà una demo con 1EDL8011 al forum tecnologico globale di Infineon OktoberTech™ 2024 che si terrà nella Silicon Valley il 17 Ottobre.
Il driver 1EDL8011 è già disponibile. Ulteriori informazioni sono disponibili al seguente link.
