La società ha annunciato l’ampliamento e l’ammodernamento del sito di Amburgo, in Germania, con un investimento di 200 milioni di dollari.
Nexperia, società olandese controllata al 100% dal produttore cinese di apparecchiature per telecomunicazioni Wingtech Technology che l’ha acquisita nel 2019 e che è quotato alla borsa di Shanghai, ha annunciato oggi i piani per investire 200 milioni di dollari (circa 184 milioni di euro) per sviluppare la prossima generazione di semiconduttori a banda larga (WBG) come il carburo di silicio (SiC) e il nitruro di gallio (GaN) e per realizzare un’infrastruttura di produzione presso il sito di Amburgo. Allo stesso tempo, verrà aumentata la capacità di fabbricazione di wafer per diodi e transistor al silicio (Si). Gli investimenti sono stati annunciati congiuntamente con il Ministro per gli affari economici di Amburgo, la Dott. ssa Melanie Leonhard, in occasione del 100° anniversario del sito di produzione.
Per soddisfare la crescente domanda a lungo termine di semiconduttori di potenza efficienti, tutte e tre le tecnologie (SiC, GaN e Si) saranno sviluppate e prodotte in Germania a partire da giugno 2024. Ciò significa che Nexperia supporta tecnologie chiave nei campi dell’elettrificazione e della digitalizzazione. I semiconduttori SiC e GaN consentono alle applicazioni ad alto consumo energetico, come i data center, di funzionare con un’efficienza eccezionale e sono elementi fondamentali per le applicazioni di energia rinnovabile e per l’elettromobilità. Queste tecnologie WBG hanno un grande potenziale e sono sempre più importanti per raggiungere gli obiettivi di decarbonizzazione.
“Questo investimento rafforza la nostra posizione di fornitore leader di semiconduttori a risparmio energetico e ci consente di utilizzare l’energia elettrica disponibile in modo più responsabile“, ha commentato Achim Kempe, COO e amministratore delegato di Nexperia Germania. “In futuro, la nostra fabbrica di Amburgo coprirà la gamma completa di semiconduttori WBG pur continuando a essere la più grande fabbrica di diodi e transistor per piccoli segnali. Restiamo impegnati nella nostra strategia di produzione di semiconduttori economici e di alta qualità per applicazioni standard e applicazioni ad alta intensità energetica, affrontando al contempo una delle più grandi sfide della nostra generazione: soddisfare la crescente domanda di energia e ridurre l’impatto ambientale”.
Le prime linee di produzione per transistor GaN D-Mode ad alta tensione e diodi SiC sono entrate in produzione a giugno 2024. La prossima pietra miliare saranno le moderne linee di produzione da 200 mm per MOSFET SiC e HEMT GaN che verranno installate nello stabilimento di Amburgo nei prossimi due anni. Allo stesso tempo, l’investimento contribuirà ad automatizzare ulteriormente l’infrastruttura esistente presso il sito di Amburgo e ad espandere la capacità di produzione del silicio convertendola sistematicamente a wafer da 200 mm. Dopo l’ampliamento delle aree della camera bianca, sono in costruzione nuovi laboratori di ricerca e sviluppo per continuare a garantire una transizione senza soluzione di continuità, dalla ricerca alla produzione in futuro.
Oltre a far progredire la tecnologia, Nexperia si aspetta che l’iniziativa stimoli lo sviluppo economico locale. Gli investimenti danno un contributo importante alla sicurezza e alla creazione di posti di lavoro e al miglioramento dell’autosufficienza. Nexperia collabora a stretto contatto con università e istituti di ricerca per trarre vantaggio dalle rispettive competenze e promuovere la formazione di dipendenti altamente qualificati. Nexperia si affida a un solido ecosistema di ricerca e sviluppo ad Amburgo e in tutta Europa. Le partnership e le cooperazioni di sviluppo, ad esempio nel campo della tecnologia GaN come parte dell’Industrial Affiliation Program (IIAP) del centro di ricerca sulla nanoelettronica imec, svolgono un ruolo cruciale. Queste e altre collaborazioni garantiscono innovazione continua ed eccellenza tecnologica nei prodotti Nexperia.
“L’investimento pianificato ci consente di portare la progettazione e la produzione di chip WBG ad Amburgo. Tuttavia, SiC e GaN non sono affatto una novità per Nexperia. I FET GaN fanno parte del nostro portafoglio dal 2019 e nel 2023 abbiamo ampliato la nostra gamma di prodotti per includere diodi SiC e MOSFET SiC, questi ultimi in collaborazione con Mitsubishi Electric. Nexperia è uno dei pochi fornitori a offrire una gamma completa di tecnologie per semiconduttori, tra cui Si, SiC e GaN sia in modalità e-mode che in modalità d-mode. Ciò significa che offriamo ai nostri clienti uno sportello unico per tutte le loro esigenze in materia di semiconduttori”, spiega Stefan Tilger, CFO e amministratore delegato di Nexperia Germania.
L’investimento è un’altra pietra miliare nella storia centenaria del sito produttivo di Nexperia ad Amburgo-Lokstedt. Sin dalla fondazione di Valvo Radioröhrenfabrik nel 1924, il sito si è sviluppato costantemente e oggi fornisce circa un quarto della domanda globale di diodi e transistor di piccolo segnale. Sin dalla sua scissione da NXP nel 2017, Nexperia ha investito somme considerevoli nel sito di Amburgo, ha aumentato la forza lavoro da 950 a circa 1.600 e ha portato l’infrastruttura tecnologica allo stato dell’arte. Questa spesa continua sottolinea l’impegno dell’azienda a rimanere all’avanguardia nel settore e fornire soluzioni innovative ai propri clienti in tutto il mondo.
Recentemente Nexperia ha dovuto rinunciare all’acquisizione del sito gallese di Newport, dopo che il governo britannico ha posto il veto sul passaggio di proprietà ad una società (Nexperia) controllata al 100% da un’azienda cinese (Wingtech Technology) parzialmente posseduta dal governo di Pechino.
L’acquisizione della fabbrica di Newport è stata annullata e Nexperia ha rivenduto il sito produttivo all’americana Vishay Intertechnology.
