L’impianto sarà integrato con la fabbrica di substrati SiC attualmente in costruzione nella stessa area. Lo Stato italiano interverrà con un contributo a fondo perduto di 2 miliardi di euro su un investimento complessivo di circa 5 miliardi.
Dopo le indiscrezioni che si sono rincorse per mesi – ne avevamo dato conto per primi nell’ottobre dell’anno scorso – è arrivato l’annuncio ufficiale da parte della stessa STMicroelectronics e delle autorità italiane ed europee: la fabbrica per semiconduttori in carburo di silicio da 200 mm sorgerà a Catania con un investimento di 5 miliardi di euro di cui due sotto forma di contributi pubblici da parte dello Stato italiano in deroga agli aiuti di Stato come previsto dalle norme dell’European Chips Act.
L’iniziativa sarà al centro della conferenza stampa che questa mattina si svolgerà a Catania alla quale prenderanno parte il ministro delle Imprese e del Made in Italy Adolfo Urso, il commissario europeo per la concorrenza Margrethe Vestager e il CEO e Presidente di ST Jean Marc Chéry.
Dopo la decisione di realizzare a Catania il primo impianto italiano per la fabbricazione di wafer in carburo di silicio e il recente annuncio della costruzione della Linea Pilota per la microelettronica focalizzata sulle tecnologie dei semiconduttori ad ampia banda proibita (WBG) per l’elettronica di potenza e per radiofrequenza (RF), possiamo affermare, senza tema di smentita, che l’area del catanese, la cosiddetta Etna Valley, diventerà il più importante centro al mondo per la ricerca e la produzione – completamente integrata – di semiconduttori di potenza in carburo di silicio.
Un annuncio di straordinaria importanza per l’industria italiana dei semiconduttori
L’odierno annuncio rappresenta un fatto di straordinaria importanza per l’industria italiana dei semiconduttori e più in generale per l’economia italiana.
Dopo l’amaro in bocca lasciato dal mancato accordo con Intel per la fabbrica di packaging avanzato che doveva sorgere nel nostro paese, e soprattutto dopo gli annunci delle nuove mega fabbriche di semiconduttori che Intel e TSMC realizzeranno in Germania con i contributi dell’European Chips Act, l’Italia rischiava di rimanere a bocca asciutta o quasi, con contributi per appena qualche centinaia di milioni di euro mentre nel resto d’Europa si autorizzavano incentivi pubblici per decine di miliardi. La stessa STMicroelectronics riceverà contributi per 2,9 miliardi di euro per il nuovo fab da 300 mm che costruirà in Francia in partnership con GlobalFoudries mentre quest’ultima sta cercando di farsi finanziare dalla Comunità europea un nuovo impianto da 5 miliardi che dovrebbe sorgere (anche questo!) in Germania.
A risollevare le sorti dell’industria italiana dei semiconduttori è stato l’annuncio di poche settimane fa dell’accordo da 3,2 miliardi di euro con Silicon Box per la costruzione di un nuovo impianto produttivo per il packaging avanzato dei semiconduttori, primo nel suo genere in Europa.
Le polemiche tra Italia e Francia
Per quanto riguarda STMicroelectronics, recentemente i vertici della società erano stati accusati di privilegiare gli investimenti francesi rispetto a quelli italiani, con le polemiche che dal Consiglio di Sorveglianza erano arrivate ai vertici politici dei due paesi, nelle persone del ministro italiano dell’economia Giancarlo Giorgetti e dell’omologo francese Bruno Le Maire che si sarebbero accordati per una modifica alla governance per riequilibrare in qualche modo l’influenza che i due paesi esercitano sulla società, perlomeno sulle questioni più importanti come, appunto, una equa suddivisione degli investimenti tra i due paesi. Pochi giorni fa l’allargamento del Managing Board di ST con la nomina dell’italiano Lorenzo Grandi che affiancherà nelle decisioni più importanti il CEO e Presidente Jean Marc Chéry riconfermato alla guida della società per altri tre anni.
Ora l’importante annuncio del cosiddetto Silicon Carbide Campus, come lo definisce STMicroelectronics, per l’azienda italo-francese una pietra miliare fondamentale per supportare i clienti dei dispositivi SiC nelle applicazioni automobilistiche, industriali e infrastrutturali cloud, mentre avanza l’elettrificazione e cresce la necessità di una sempre maggiore efficienza energetica dei dispositivi a semiconduttore.
I primi commenti di Jean-Marc Chéry
Nei primi commenti, Jean-Marc Chéry ha dichiarato: “Le capacità completamente integrate sbloccate dal Silicon Carbide Campus di Catania contribuiranno in modo significativo alla leadership di ST nella tecnologia SiC per i clienti automobilistici e industriali nei prossimi decenni. La portata e le sinergie offerte da questo progetto ci consentiranno di innovare meglio con capacità di produzione ad alto volume, a vantaggio dei nostri clienti europei e globali mentre passano all’elettrificazione e cercano soluzioni più efficienti dal punto di vista energetico per raggiungere i loro obiettivi di decarbonizzazione”.
Nel comunicato ufficiale, ST afferma che il Silicon Carbide Campus fungerà da centro dell’ecosistema SiC globale dell’azienda, integrando tutte le fasi del flusso di produzione, compreso lo sviluppo del substrato SiC, i processi di crescita epitassiale, la fabbricazione di wafer front-end da 200 mm e l’assemblaggio back-end dei moduli, nonché la ricerca e sviluppo dei processi. Ciò costituirà il primo esempio in Europa per la produzione in serie di wafer SiC da 200 mm in ogni fase del processo (substrato, epitassia, front-end e back-end) utilizzando tecnologie da 200 mm per rese e prestazioni migliorate.
L’obiettivo è che la nuova struttura inizi la produzione nel 2026 e raggiunga la piena capacità entro il 2033, con un massimo di 15.000 wafer a settimana a pieno regime. ST prevede un investimento complessivo di circa cinque miliardi di euro, con un sostegno di circa due miliardi di euro fornito dallo Stato italiano nell’ambito dell’European Chips Act. Le pratiche sostenibili sono parte integrante della progettazione, dello sviluppo e del funzionamento del Silicon Carbide Campus per garantire il consumo responsabile delle risorse, comprese acqua ed elettricità.
Catania hub mondiale per la produzione di SiC
STMicroelectronics è attualmente leadership mondiale nei dispositivi in carburo di silicio, frutto di 25 anni di attenzione e impegno nella ricerca e sviluppo con un ampio portafoglio di brevetti chiave. Catania è da tempo un importante sito di innovazione per ST in quanto sede delle più grandi attività di ricerca e sviluppo e produzione di SiC, contribuendo con successo allo sviluppo di nuove soluzioni per produrre un numero maggiore e migliore di dispositivi SiC. Con un ecosistema consolidato nel campo dell’elettronica di potenza, che comprende una collaborazione di successo a lungo termine tra STMicroelectronicsa, Università di Catania e il CNR (Consiglio Nazionale delle Ricerche italiano), nonché un’ampia rete di fornitori, questo investimento rafforzerà il ruolo di Catania come centro di competenza globale per la tecnologia SiC e per ulteriori opportunità di crescita.
Gli altri impianti SiC di STMicroelectronics
Attualmente ST produce i suoi dispositivi SiC di punta ad alto volume su due linee di wafer da 150 millimetri a Catania (Italia) e Ang Mo Kio (Singapore). Un terzo hub è la joint venture con Sanan Optoelectronics, con un impianto da 200 millimetri in costruzione a Chongqing (Cina), dedicato a ST e focalizzato sul mercato cinese. Gli impianti di produzione di wafer sono supportati da operazioni di assemblaggio e test in grandi volumi, qualificati per il settore automobilistico, a Bouskoura (Marocco) e Shenzhen (Cina). La ricerca e lo sviluppo e l’industrializzazione dei substrati SiC vengono svolte a Norrköping (Svezia) e a Catania, dove l’impianto di produzione dei substrati SiC sta accelerando la produzione e dove ha sede la maggior parte del personale di ricerca e sviluppo e di progettazione dei prodotti SiC dell’azienda.
Approfondiremo nelle prossime settimane le implicazioni per l’azienda e per il mercato globale di questo importante annuncio.
Al momento sembra che i mercati abbiano accolto con un certo scetticismo l’annuncio: invece i schizzare all’insù come ci si sarebbe aspettato, il titolo ST sta perdendo lo 0,5% a Piazza Affari.
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