AMERICA & GLOBAL
Per tutta la giornata di mercoledì 17 marzo i mercati americani sono rimasti in attesa delle dichiarazioni del governatore della Fed Powell, con gli indici tendenzialmente in negativo, specie il Nasdaq. Poi, dopo le dichiarazioni tanto attese, tutti gli indici si sono tinti di verde con il Dow Jones che ha raggiunto per la prima volta quota 33 mila punti.
“Alla Fed, continueremo a fornire all’economia il supporto di cui ha bisogno per tutto il tempo necessario“, ha detto Powell, con una dichiarazione più convincente rispetto a quella di un mese fa, tanto da fare invertire rapidamente la rotta anche al Nasdaq che perdeva l’1% circa, con alcuni titoli in forte ribasso.
Tutto ciò nonostante anche oggi il rendimento dei buoni del Tesori sia ulteriormente aumentato, col Treasury a 10 anni salito all’1,641% dall’1,622% di martedì.
A fine giornata, dunque, il Dow Jones ha raggiunto 33.015 punti con un aumento dello 0,58%, l’S&P 500 ha chiuso a 3.974 punti con un incremento dello 0,29% e il Nasdaq Composite ha guadagnato lo 0,40% a quota 13.525 punti.
Tra i tecnologici, dopo un avvio in forte calo, ha invertito rapidamente la rotta Tesla che ha concluso la seduta a 701,81 dollari con un guadagno del 3,68%.
Salgono anche i titoli dei social, con Facebook che avanza dell’1,69% e Twitter che guadagna l’1,37%. Leggermente negativi tutti gli altri principali titoli.
Anche le azioni dei semiconduttori guadagnano terreno dopo un avvio negativo: l’indice PHLX Semiconductor (SOX) chiude a 3.107 con un incremento dell’1,22%.
A guadagnare di più è Micron Technology (+3,63%) dopo l’annuncio di lunedì dell’abbandono della tecnologia 3D XPoint e la dismissione della fabbrica di Lehi.
Buone anche le performance di ON Semiconductor (+2,88%), NXP (+2,74%) e Microchip (+2,62%).
Tra i big, Intel guadagna l’1,54% a quota 65,78 dollari e Texas Instruments avanza dell’1,25%. In terreno negativo solamente due titoli, TSMC (-0,13%) e AMD (-0,15%).
Per quanto riguarda i prodotti, Microchip Technology ha annunciato oggi il suo Grandmaster TimeProvider 4100 Release 2.2, in grado di fornire un nuovo livello di resilienza con l’introduzione di una innovativa architettura ridondante, oltre al supporto per un ricevitore GNSS (Global Navigation Satellite System) multibanda e una maggiore sicurezza per garantire una sincronizzazione sempre al top.
La ridondanza è fondamentale per i fornitori di infrastrutture che debbono contare su sistemi affidabili in grado di garantire servizi senza interruzioni. Le implementazioni dell’infrastruttura si basavano in precedenza sulla ridondanza dell’hardware per evitare interruzioni del servizio; il Grandmaster TimeProvider 4100 Release 2.2 di Microchip fornisce ridondanza tramite l’implementazione del software, consentendo una distribuzione flessibile, e con costi hardware inferiori senza sacrificare il numero di porte.
Inoltre, il Grandmaster TimeProvider 4100 Release 2.2 introduce un maggiore livello di resilienza supportando un nuovo ricevitore GNSS multibanda e multi-costellazione per la protezione dai ritardi dovuti a condizioni meteorologiche, eventi solari e altre interruzioni che possono influire sui servizi infrastrutturali critici. Il GNSS multibanda è particolarmente importante per le applicazioni con i massimi livelli di precisione, tra cui Primary Reference Time Clock Class B (PRTC-B, 40 ns) e Enhanced Primary Reference Time Clock (ePRTC, 30 ns).
Il nuovo Grandmaster TimeProvider 4100 Release 2.2 di Microchip aggiunge il supporto per RADIUS e TACACS+, nonché nuove funzionalità anti-jamming e anti-spoofing.
Inoltre, il dispositivo fornisce un’opzione OCXO (Oven Controlled Crystal Oscillator) per potenziare le capacità di holdover in caso di interruzione del servizio GNSS.
Grandmaster TimeProvider 4100 Release 2.2 è una famiglia di prodotti con moduli di espansione hardware per fan-out legacy o fan-out Ethernet con supporto 10 Gigabit Ethernet. I dispositivi possono essere configurati in modalità operative specifiche per agire come un clock gateway, un boundary clock ad alte prestazioni o un ePRTC.
ASIA
Mercati asiatici poco mossi con l’eccezione, in positivo, dell’indice Shenzhen Composite e, in negativo, di KOSPI e Taiex. Anche i titoli tecnologici e dei semiconduttori si allineano agli indici principali in attesa di news dalla borsa americana e dalla Fed.
In Cina lo Shenzhen Composite chiude con un guadagno dell’1,22%, il più alto ieri in Asia, mentre l’altro indice cinese, lo Shanghai Composite chiude praticamente invariato (-0,034%).
Comportamento simile per l’Hang Seng di Hong Kong che sale di pochissimo, appena lo 0,022%. L’unica variazione da segnale all’interno di questo listino è il guadagno del 2,12% della foundry cinese SMIC. Si arresta anche la corsa di Xiaomi dopo due giornate di forti guadagni.
In Corea perde lo 0,64% l’indice KOSPI; calo simile (-0,60%) anche per l’indice taiwanese Taiex. In entrambi i mercati risultano poco mossi gli indici dei tecnologici e dei semiconduttori.
In Giappone il Nikkei 225 chiude praticamente invariato (-0,023%) ma perdono oltre un punto i principali titoli dei semiconduttori: Renesas (-1,54%), Murata (-1,57%) e Rohm (-1,04%).
EUROPA
Borse contrastate in Europa in attesa delle indicazioni della Fed su economia e inflazione.
Milano chiude a quota 24.281 punti con un piccolissimo guadagno (+0,082%).
Tutti leggermente negativi i titoli europei dell’industria dei semiconduttori con l’eccezione di ams che perde molto di più, il 2,65%.
La multinazionale italo-francese STMicroelectronics arretra dello 0,75% a quota 30,57 euro mentre la tedesca Infineon Technologies chiude a 34,24 euro, in calo dello 0,84%.
Alla borsa di Amsterdam il produttore olandese di macchinari per l’industria dei semiconduttori ASML, perde lo 0,50%.
Per quanto riguarda i prodotti, Infineon Technologies ha annunciato ieri di aver ampliato il proprio portafoglio EiceDRIVER di gate driver isolati per controllo MOSFET e IGBT di potenza con i nuovi gate driver high e low side half-bridge da 650 V.
I nuovi dispositivi si basano sull’esclusiva tecnologia SOI (silicon-on-insulator) dell’azienda e integrano diodi bootstrap, fornendo robustezza e immunità ai disturbi contro le tensioni transitorie negative sul pin VS. Tutte queste caratteristiche riducono la distinta base e consentono progetti più robusti e di dimensioni ridotte. La famiglia FLS (Fast Level Shift) è concepita per applicazioni ad alta frequenza come SMPS e UPS così come azionamenti industriali e inverter integrati, elettrodomestici, utensili elettrici nonché controllo motore per ventilatori e pompe.
L’EiceDRIVER 2ED2110S06M è un driver ad alta corrente da 2,5 A, mentre l’EiceDRIVER 2ED2101 / 03/04 è un driver a bassa corrente, da 0,7 A. I dispositivi a bassa corrente sono disponibili in package DSO-8, mentre il driver da 2,5 A viene fornito in un package DSO-16W. Con ritardi di propagazione di 90 ns e un ritardo di abbinamento massimo di 10 ns, supportano la commutazione ad alta frequenza nella gamma dei 500 kHz così come le applicazioni di controllo motore tradizionali. Il 2ED2110S06M supporta la funzionalità di spegnimento, logica separata e massa di alimentazione. Il diodo bootstrap integrato offre un ripristino inverso ultra rapido con una resistenza tipica di 30 Ohm.
EiceDRIVER 2E2110S e 2ED2101 / 03/04 sono già disponibili in package standard DSO-8 (SOIC8) e DSO-16W con classificazione ESD HBM da 2 kV.
Sempre Infineon Technologies ha presentato una nuova generazione di diodi di potenza senza custodia progettata per la saldatura a resistenza a media frequenza e per applicazioni con raddrizzatori ad alta corrente.
I dispositivi soddisfano i requisiti del mercato per una maggiore corrente diretta, basse perdite di conduzione e una maggiore capacità di ciclo di potenza. Con questo nuovo design, il focus si sposta sul miglior rapporto tra prestazioni e durata, supportando una riduzione dei cicli di manutenzione. Le principali applicazioni della nuova generazione di diodi sono la saldatura a punti nell’industria automobilistica, l’elettrolisi a bassa tensione e la protezione contro le sovratensioni.
La nuova generazione di diodi per saldatura offre la più alta capacità di ciclo di potenza sul mercato. Rispetto ai dispositivi convenzionali, la minore tensione dello stato di ON consente correnti superiori dal 10 al 15 percento. In questo modo, il cliente può scegliere tra una maggiore durata e una maggiore corrente per la sua applicazione. Con tutte le nuove funzionalità, la nuova generazione di diodi di potenza è ideale per estendere le prestazioni dei progetti esistenti con la piena compatibilità meccanica.
I nuovi diodi di potenza Infineon sono disponibili in dimensioni standard di 38 mm, 46 mm, 56 mm e 65 mm di diametro con una tensione di blocco di 600 V: 38DN06B02, 46DN06B02, 56DN06B02 e 65DN06B02. Ulteriori informazioni sono disponibili qui.
