L’integrazione delle memorie ad accesso casuale (ReRAM) di Weebit Nano nel processo Bipolare-CMOS-DMOS (BCD) a 130 nm di DB HiTek semplifica il processo produttivo e riduce i costi.
L’israeliana Weebit Nano e la foundry sudcoreana DB HiTek hanno siglato un accordo per l’integrazione della tecnologia di memoria resistiva ad accesso casuale (ReRAM) di Weebit nel processo Bipolare-CMOS-DMOS (BCD) a 130 nm di DB HiTek.
Segna una pietra miliare significativa nel settore dei semiconduttori per progetti analogici, a segnale misto e di potenza, ponendo le basi per livelli più elevati di integrazione di sistema e soluzioni più competitive.
La sinergia tra ReRAM e la tecnologia BCD consente la creazione di circuiti altamente integrati, riducendo la complessità associata a componenti esterni e stampi multipli. Il nuovo processo produttivo integrato consentirà ai componenti analogici, digitali e di potenza di coesistere senza problemi sullo stesso chip.
Questa iniziativa non solo semplifica il processo di progettazione ma migliora anche le prestazioni complessive del sistema.
I vantaggi della ReRAM rispetto alla memoria Flash
La facilità di integrazione di ReRAM, combinata con l’elevata resistenza, l’affidabilità alle alte temperature e le caratteristiche di basso consumo, la posizionano come una scelta vantaggiosa rispetto alla memoria Flash nei processi BCD. Il processo di integrazione semplificato e la ridotta necessità di messa a punto del processo migliorano l’efficienza e le prestazioni complessive dei progetti di semiconduttori.
ReRAM, come tecnologia BEOL, si integra nelle fasi successive della produzione di semiconduttori. Ciò semplifica il processo di integrazione, evitando interferenze con i componenti front-end e consentendo un’integrazione diretta nei processi BCD esistenti. Il semplice design dello stack di ReRAM facilita la sua perfetta integrazione nel BEOL. Questa semplicità consente l’aggiunta di ReRAM a strati esistenti di metallo e materiali isolanti senza modifiche estese.
Attenzione ai costi e maggiore efficienza energetica
L’integrazione di ReRAM nel processo BCD di DB HiTek offre numerosi vantaggi.
Dal punto di vista dei costi di produzione, la tecnologia ReRAM di Weebit richiede solo 2 maschere aggiuntive nel processo di produzione, rispetto a più di 10 maschere nel caso delle flash. Ciò ha un effetto diretto sui costi di produzione e sui tempi di ciclo. Inoltre, l’integrazione monolitica riduce la necessità di componenti esterni, ottimizzando la produzione e riducendo i costi di produzione.
Per quanto riguarda l’efficienza energetica, le caratteristiche di basso consumo delle ReRAM insieme alle capacità di gestione energetica del processo BCD migliora l’efficienza energetica complessiva. Ciò è particolarmente importante nelle applicazioni mobili in cui il basso consumo energetico è fondamentale.
Infine, l’integrazione di ReRAM nel processo BCD consente la perfetta coesistenza di componenti analogici, digitali e di potenza su un singolo chip. Ciò non solo semplifica il processo di progettazione, ma contribuisce anche a realizzare sistemi elettronici più compatti ed efficienti.
Le dichiarazioni
Coby Hanoch, CEO di Weebit Nano, ha dichiarato: “DB HiTek è una delle fonderie di massimo livello al mondo per circuiti integrati analogici e di potenza. Essendo uno dei maggiori produttori di chip a contratto al mondo, l’ampia base di clienti di DB HiTek può ottenere vantaggi significativi dall’utilizzo di Weebit ReRAM nella progettazione di nuovi prodotti, inclusi miglioramenti alla ritenzione, alla resistenza e al consumo energetico. La nostra collaborazione con DB HiTek inizia da subito, a cominciare dal trasferimento della nostra tecnologia nello stabilimento produttivo dell’azienda. Stiamo assistendo a una domanda di mercato sempre più forte per Weebit ReRAM e prevediamo di firmare ulteriori accordi commerciali, tra cui molte fonderie e produttori di dispositivi integrati di alto livello, nonché società di design fabless”.
Ki-Seog Cho, CEO di DB HiTek, ha dichiarato: “Weebit ReRAM fornirà ai clienti che utilizzano il nostro processo BCD a 130 nm una NVM a bassissimo consumo energetico, ad alta densità ed economicamente vantaggiosa. Data la tecnologia di alta qualità di Weebit e la combinazione unica di progettazione e ingegneria di processo, riteniamo che i processi di trasferimento tecnologico e di qualificazione procederanno rapidamente”.
