Mitsubishi Electric sfrutterà le sue tecnologie wide bandgap per sviluppare e fornire chip MOSFET SiC che Nexperia utilizzerà per sviluppare dispositivi discreti SiC.
Mitsubishi Electric ha annunciato oggi che stipulerà una partnership strategica con Nexperia per sviluppare congiuntamente semiconduttori di potenza SiC per il mercato dell’elettronica di potenza.
L’azienda giapponese sfrutterà le sue tecnologie wide bandgap per sviluppare e fornire chip MOSFET SiC che Nexperia utilizzerà per sviluppare dispositivi discreti SiC.
La tecnologia SiC per il mercato dei veicoli elettrici e dei treni
Il mercato dei veicoli elettrici si sta espandendo in tutto il mondo e sta contribuendo a guidare la crescita esponenziale dei semiconduttori di potenza SiC. Questi dispositivi offrono minori perdite di energia, temperature operative più elevate e velocità di commutazione più elevate rispetto ai tradizionali semiconduttori di potenza in silicio. Si prevede che l’elevata efficienza dei semiconduttori di potenza SiC contribuirà in modo significativo alla decarbonizzazione globale e alla trasformazione verde.
Mitsubishi Electric ha conquistato posizioni di leadership in applicazioni quali treni ad alta velocità, applicazioni industriali ad alta tensione ed elettrodomestici. L’azienda ha lanciato i primi moduli di potenza SiC al mondo per condizionatori d’aria nel 2010. Successivamente è diventata il primo fornitore di un modulo di potenza interamente SiC per i treni ad alta velocità Shinkansen nel 2015. Mitsubishi Electric ha accumulato competenze superiori per lo sviluppo e la produzione di moduli di potenza SiC, noti per le loro prestazioni avanzate e l’elevata affidabilità.
La partnership con Nexperia
Guardando al futuro, Mitsubishi Electric prevede di rafforzare la propria partnership con Nexperia, leader globale con decenni di esperienza nella progettazione, produzione, garanzia di qualità e fornitura di diversi dispositivi discreti. I dispositivi Nexperia sono utilizzati nei mercati automobilistico, industriale, mobile e di consumo, contribuendo alla decarbonizzazione e a un futuro più sostenibile. Mitsubishi Electric continuerà a migliorare le prestazioni e la qualità dei suoi chip SiC e si concentrerà sullo sviluppo di moduli di potenza utilizzando tecnologie proprietarie.
I commenti
Mark Roeloffzen, SVP e General Manager Business Group Bipolar Discretes di Nexperia, ha dichiarato: “Questa partnership strategica reciprocamente vantaggiosa con Mitsubishi Electric rappresenta un passo avanti significativo nel percorso di Nexperia nel carburo di silicio. Mitsubishi Electric ha una solida esperienza come fornitore di dispositivi SiC tecnicamente collaudati. In combinazione con gli standard di alta qualità e l’esperienza di Nexperia in prodotti discreti e packaging, genereremo sicuramente sinergie positive tra le due società, consentendo in definitiva ai nostri clienti di fornire prodotti ad alta efficienza energetica nei mercati industriale, automobilistico o di consumo.”
Masayoshi Takemi, amministratore delegato e presidente del gruppo Semiconductor & Device di Mitsubishi Electric, ha dichiarato: “Nexperia è un’azienda leader nel settore industriale con tecnologie collaudate per semiconduttori discreti di alta qualità. Siamo lieti di avviare questa partnership di co-sviluppo che porterà a sfruttare le tecnologie dei semiconduttori di entrambe le società.”
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