I wafer SiC lucidati da 6″/90μm e 8″/350μm risultano più economici pur garantendo alta qualità e prestazioni superiori.
In occasione della 31^ edizione di OPTO Taiwan, GlobalWafers, leader mondiale nella produzione di wafer in silicio per il mercato dei semiconduttori con due importanti stabilimenti in Italia (l’azienda taiwanese controlla la MEMC SpA di Novara e Merano), ha annunciato la tecnologia proprietaria di crescita di cristalli SiC di tipo N da 8”, la tecnologia Thinning per 6 e 8 pollici nonché prodotti di nicchia nel campo dell’epitassia GaN.
È noto che la crescita dei cristalli in carburo di silicio presenta sfide dovute alla necessità di operare in ambienti a temperature estremamente elevate, con fattori critici come la progettazione della zona calda e i materiali del crogiolo.
Il processo proprietario di GlobalWafers
Il processo PVT (Physical Vapor Transport Method Grower) sviluppato in maniera indipendente da GlobalWafers, specifico per wafer da 8”, secondo l’azienda consente di ridurre ulteriormente i costi di crescita dei cristalli ottenendo al contempo un maggiore controllo della qualità dei materiali.
Grazie ad un puntuale controllo tecnico e ad un’efficienza produttiva, nonché una continua ricerca e sviluppo, GlobalWafers potrebbe aver superato le sfide tecniche della crescita dei cristalli SiC, avanzando con successo fino a 8″, fornendo ai clienti materiali SiC di alta qualità e prestazioni superiori.
L’elevata durezza e la fragilità dei wafer SiC rendono il processo costruttivo sempre più complesso alll’aumentare del diametro: solo negli ultimi anni stiamo assistendo ad una lenta transizione dai wafer da 6”a quelli da 8”.
Sfruttando la lunga esperienza nella lavorazione dei wafer, GlobalWafers ha sviluppato con successo la tecnologia di assottigliamento ultrasottile per SiC, presentando alla fiera wafer SiC ultrasottili lucidati da 6″e 90μm di spessore e da 8″ e 350μm di spessore.
I wafer SiC di questo spessore offrono vantaggi in termini di leggerezza, dissipazione del calore, conduttività termica, funzionamento ad alta frequenza, miniaturizzazione dei componenti e costi dei materiali, rendendoli la scelta ideale per dispositivi a semiconduttore ad alte prestazioni.
I wafer SiC di GlobalWafers includono wafer semi-isolanti da 4”÷ 6” e wafer SiC conduttivi da 6” ÷ 8”, offrendo una gamma completa di prodotti per soddisfare le diverse esigenze dei clienti. La società prevede di avviare la produzione su piccola scala entro il quarto trimestre del 2024 e quella in volumi nel 2025.
Altre novità
Per quanto riguarda i prodotti GaN, l’eteroepitassia pone varie sfide tecniche, come disadattamento del reticolo, stress e difetti vari. Anche in questo settore, GlobalWafers ha lanciato una gamma completa di heteroepitaxy GaN nonché nuovi substrati in silicio, SiC e zaffiro.
Una varietà di selezioni di substrati in grado di soddisfare requisiti diversi ed espandere le applicazioni finali in modo completo.
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