giovedì, Novembre 21, 2024
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GlobalFoundries accelera sulla produzione di chip GaN grazie a un finanziamento di 35 milioni di dollari del governo degli Stati Uniti

Finanziamento GlobalFoundries per GaN

In collaborazione con il governo degli Stati Uniti, lo stabilimento di GF nel Vermont continua ad avvicinarsi alla produzione su larga scala di chip di nitruro di gallio di prossima generazione da utilizzare nel settore aerospaziale e della difesa, nelle comunicazioni cellulari, nell’IoT industriale e nelle automobili.

Il governo degli Stati Uniti ha finanziato con 35 milioni di dollari GlobalFoundries per accelerara la produzione di dispositivi GaN-on-Silicon presso lo stabilimento di Essex Junction, nel Vermont. Questo finanziamento avvicina GF alla produzione su larga scala di chip GaN, che sono unici nella loro capacità di gestire tensioni e temperature elevate. Questi chip consentono prestazioni ed efficienza rivoluzionarie nelle comunicazioni cellulari 5G e 6G in infrastrutture e terminali. Inoltre, sono fondamentali nelle applicazioni Internet of Things (IoT) in ambito automobilistico e industriale, nonché in reti elettriche e altre infrastrutture critiche.

Il finanziamento del Dipartimento della Difesa in chiave geopolitica

Con il nuovo finanziamento di 35 milioni di dollari, assegnato dal Trusted Access Program Office (TAPO) del Dipartimento della Difesa, GF prevede di acquistare ulteriori strumenti per espandere le capacità di sviluppo e prototipazione, avvicinandosi alla produzione in volumi di semiconduttori GaN-on-Silicon con wafer da 200 mm. Nell’ambito dell’investimento, GF prevede di implementare nuove funzionalità per ridurre l’esposizione di GF e dei suoi clienti ai vincoli della catena di fornitura del gallio (materiale sottoposto a restrizioni all’esportazione da parte della Cina), migliorando al contempo la velocità di sviluppo, la garanzia della fornitura e la competitività dei chip GaN prodotti negli Stati Uniti.

Il finanziamento si basa su una consolidata collaborazione con il governo degli Stati Uniti, inclusi 40 milioni di dollari di sostegno nel periodo 2020-2022. Il finanziamento riconosce il talento del team GF del Vermont e l’esperienza nella produzione di semiconduttori da 200 mm, ora applicata alla produzione GaN-in-Silicon. I wafer da 200 mm rappresentano oggi lo stato dell’arte per la tecnologia dei chip GaN.

I commenti

“Il Vermont è leader nell’innovazione dei semiconduttori. Questo finanziamento federale è una buona notizia e consoliderà la posizione del nostro Stato come leader in prima linea nella produzione di chip di prossima generazione“, ha affermato il senatore Peter Welch. “È fondamentale sostenere gli investimenti in questo settore qui nel Vermont e negli Stati Uniti, sia per la nostra crescita economica locale che per la nostra sicurezza nazionale. Non vedo l’ora di continuare a lottare per i nostri produttori nazionali di semiconduttori e chip al Senato”.

Questo investimento strategico continua a rafforzare il nostro ecosistema nazionale di tecnologie commerciali critiche a duplice uso, garantendo che siano prontamente disponibili e sicure per l’utilizzo del Dipartimento della Difesa. Di concerto con i principali partner, stiamo dando forma in modo proattivo al futuro dei nostri sistemi di difesa”, ha affermato l’onorevole Christopher J. Lowman, Assistant Secretary of Defense for Sustainment.

GaN-on-Silicon è una tecnologia ideale per applicazioni in radiofrequenza ad alte prestazioni, commutazione di potenza ad alta tensione e controllo. È fondamentale per le comunicazioni wireless 6G, l’IoT industriale e i veicoli elettrici“, ha affermato il Dott. Thomas Caulfield, presidente e CEO di GlobafFoundries. “GF ha una partnership di lunga data con il governo degli Stati Uniti e questo finanziamento è fondamentale per avvicinare la tecnologia GaN-on-Silicon alla produzione in volumi. Questi chip consentiranno ai nostri clienti di realizzare nuovi progetti innovativi che spingono i limiti dell’efficienza energetica e delle prestazioni delle tecnologie critiche su cui facciamo affidamento ogni giorno”.

Lo stabilimento Essex Junction

Lo stabilimento GF di Essex Junction, nel Vermont, vicino a Burlington, è stato tra i primi grandi siti di produzione di semiconduttori negli Stati Uniti. Oggi nello stabilimento lavorano circa 1.800 dipendenti. I chip prodotti, basati sulle tecnologie GF, vengono utilizzati negli smartphone, nelle automobili e nelle reti di comunicazione in tutto il mondo. La struttura è una Trusted Foundry accreditata DMEA. Produce chip sicuri in collaborazione con il Dipartimento della Difesa USA, da utilizzare in alcuni dei sistemi aerospaziali e di difesa più sensibili della nazione.