Il dispositivo di quarta generazione consente livelli di potenza e densità elevati, riducendo al contempo le perdite di conduzione e commutazione per aumentare l’efficienza.
Vishay Intertechnology ha presentato un nuovo MOSFET di potenza serie 650 VE di quarta generazione che offre elevata efficienza e densità di potenza per applicazioni industriali, nel campo delle telecomunicazioni e in ambito IT.
Rispetto ai dispositivi della generazione precedente, il MOSFET SiHP054N65E a canale N riduce la resistenza in conduzione del 48,2%, offrendo allo stesso tempo una resistenza inferiore del 59% per la carica del gate, una figura di merito (FOM) chiave per i MOSFET da 650 V utilizzati nelle applicazioni di conversione di potenza .
Vishay offre un’ampia linea di tecnologie MOSFET che supportano tutte le fasi del processo di conversione della potenza, dagli ingressi ad alta tensione alle uscite a bassa tensione necessarie per alimentare le più recenti apparecchiature. Con SiHP054N65E e altri dispositivi della famiglia Serie 650 VE di quarta generazione, l’azienda risponde alla necessità di miglioramenti in termini di efficienza e densità di potenza in due delle prime fasi dell’architettura del sistema di alimentazione: correzione del fattore di potenza (PFC) e successiva conversione DC/DC. Le applicazioni tipiche includono server, edge computing e archiviazione dati; UPS; lampade a scarica ad alta intensità (HID) e illuminazione con reattore fluorescente; inverter solari; attrezzature per saldatura; riscaldamento a induzione; azionamenti a motore; caricabatterie.
Costruito utilizzando la più recente tecnologia di supergiunzione Serie E ad alta efficienza energetica di Vishay, la bassa resistenza tipica di SiHP054N65E pari a 0,051 Ω a 10 V si traduce in una potenza nominale più elevata per applicazioni superiori a 2 kW e consente al dispositivo di gestire Open Rack V3 di Open Compute Project (ORV3). Inoltre, il MOSFET offre una carica di gate bassissima, fino a 72 nC. Il FOM risultante di 3,67 Ω*nC è inferiore dell’1,1% rispetto al MOSFET concorrente più vicino della stessa classe, il che si traduce in perdite di conduzione e commutazione ridotte per risparmiare energia e aumentare l’efficienza. Ciò consente al dispositivo di soddisfare i requisiti specifici di efficienza “titanium efficiency” negli alimentatori per server o di raggiungere un’efficienza di picco del 96% negli alimentatori per telecomunicazioni.
Per migliorare le prestazioni di commutazione in topologie hard-switched come PFC, half-bridge e progetti forward a due switch, il nuovo MOSFET fornisce capacità di uscita effettive tipiche di 115 pF per Co(er) e 772 pF per Co(tr). I tempi di resistenza risultanti del dispositivo Co(er) FOM sono i più bassi del settore: 5,87 Ω*pF. Offerto nel pacchetto TO-220AB e dotato di maggiore robustezza dv/dt, SiHP054N65E è conforme alla direttiva RoHS, privo di alogeni e Vishay Green, ed è progettato per resistere ai transitori di sovratensione in modalità valanga con limiti garantiti attraverso test UIS al 100%.
I campioni e le quantità di produzione del SiHP054N65E sono già disponibili.
Vishay produce uno dei portafogli più ampi al mondo di semiconduttori discreti e componenti elettronici passivi essenziali per progetti innovativi nei mercati automobilistico, industriale, informatico, di consumo, delle telecomunicazioni, militare, aerospaziale e medico.
