venerdì, Novembre 22, 2024
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Infineon amplia il portafoglio OptiMOS di MOSFET di potenza con soluzioni PQFN 2×2 mmq con corrente più elevata

Componenti dall’ingombro ridotto svolgono un ruolo fondamentale per ottenere risparmi di spazio, riduzione dei costi e applicazioni più facili da progettare. Inoltre, una maggiore densità di potenza può migliorare la flessibilità del layout e portare ad una riduzione delle dimensioni complessive del sistema. Aumentando la corrente delle sue versioni PQFN 2×2 con nuovi MOSFET di potenza OptiMOS, Infineon Technologies offre ora soluzioni di riferimento ottimizzate per efficienza e prestazioni in un ingombro ridotto. I nuovi prodotti sono ideali per applicazioni come la rettifica sincrona in alimentatori switching (SMPS) per server, telecomunicazioni, dispositivi portatili e caricabatterie senza fili. Ulteriori applicazioni includono anche regolatori di velocità per piccoli motori senza spazzole in droni.

I nuovi MOSFET di potenza OptiMOS 6 40 V e OptiMOS 5 25 V e 30 V ottimizzano ulteriormente la collaudata tecnologia OptiMOS per progetti ad alte prestazioni. Offrono tecnologia al silicio all’avanguardia, affidabilità del package e resistenza termica superiore (RthJC, max = 3,2 K/W) nel package ultracompatto PQFN 2×2 mm². I nuovi dispositivi combinano RDS(ON) a bassa resistenza, leader del settore, con cifre di merito al top (FOM, QG e QOSS ) per prestazioni di commutazione dinamica eccezionali. I MOSFET con commutazione ultra bassa e perdite di conduzione ridotte garantiscono efficienza energetica e densità di potenza ottimali, il tutto semplificando la gestione termica.

Con il compatto profilo del contenitore PQFN 2×2 mm², gli switch di alimentazione OptiMOS consentono un fattore di forma di sistema migliorato, con contorni geometrici più piccoli e flessibili per le applicazioni finali. I MOSFET facilitano la progettazione affidabile del sistema con meno necessità di dispositivi in parallelo, riducendo significativamente lo spazio e il costo di sistema.

Disponibilità

I nuovi OptiMOS 6 power MOSFET 40 V (ISK057N04LM6) con RDS(ON) 5,7 mΩ e OptiMOS 5 power MOSFET 25 V (ISK024NE2LM5) e 30 V (ISK036N03LM5) con RDS(ON) 2,4 mΩ e 3,6 mΩ, rispettivamente, sono già disponibile in package migliorato PQFN 2×2 mm². Ulteriori informazioni sono disponibili ai seguenti link:
www.infineon.com/optimos-6-40v
www.infineon.com/pqfn-2×2