Mentre la digitalizzazione, l’urbanizzazione e la diffusione della mobilità elettrica continuano a plasmare il mondo in rapida evoluzione, la domanda energetica sta raggiungendo livelli senza precedenti.
Infineon Technologies affronta questi megatrend con il suo MOSFET CoolSiC 650 V in carburo di silicio (SiC) in confezione TOLL, (TO leadless). I nuovi MOSFET SiC stanno migliorando l’ampio portafoglio CoolSiC di Infineon e sono ottimizzati per le perdite più basse, la massima affidabilità e facilità d’uso in applicazioni come SMPS per server, infrastruttura di telecomunicazioni così come sistemi di accumulo di energia e soluzioni per battery formation.
I MOSFET SiC di potenza basati su trench ad alte prestazioni CoolSiC da 650 V sono offerti in un portafoglio molto granulare per adattarsi al meglio a diverse applicazioni target. La nuova famiglia è disponibile in un package TOLL qualificato JEDEC caratterizzato da una bassa induttanza parassita, che consente una frequenza di commutazione più elevata, perdite di commutazione ridotte, una buona gestione termica e un assemblaggio automatizzato. Il fattore di forma compatto consente un utilizzo efficiente ed efficace dello spazio su scheda, consentendo ai progettisti di sistemi di ottenere un’eccezionale densità di potenza.
I MOSFET CoolSiC a 650 V mostrano una notevole affidabilità anche in ambienti difficili, rendendoli la scelta ideale per topologie con commutazione dura ripetitiva. L’inclusione dell’innovativa tecnologia di interconnessione .XT migliora ulteriormente le prestazioni termiche dei dispositivi riducendo la resistenza termica (Rth) e l’impedenza termica (Zth). Inoltre, i nuovi dispositivi presentano una tensione di soglia del gate (VGS(th)) maggiore di 4 V per la robustezza contro l’accensione parassita, un body diode robusto e l’ossido di gate (GOX) più forte sul mercato, con conseguenti tassi di FIT (guasti nel tempo) estremamente bassi.
Sebbene sia generalmente consigliata una tensione di interruzione (VGS(off)) di 0 V per semplificare il circuito di pilotaggio (pilotaggio unipolare), il nuovo portafoglio supporta un ampio intervallo di pilotaggio della tensione VGS nell’intervallo da -5 V (spegnimento) a 23 V (accensione). Ciò garantisce facilità d’uso e compatibilità con altri MOSFET SiC e gate driver MOSFET standard per una maggiore affidabilità, una minore complessità del sistema e la possibilità di assemblaggio automatizzato, riducendo i costi di sistema e di produzione e accelerando il time-to-market.
Disponibilità
I nuovi CoolSiC MOSFET 650 V TOLL per impiego industriale sono già disponibili in varie opzioni di resistenza (RDS (on) ), da 22 a 83 mΩ (le versioni da 107, 163 mΩ e 260 mΩ saranno disponibili su richiesta).
Ulteriori informazioni sono disponibili al seguente link.
