Il nuovo dispositivo presenta una resistenza nello stato di ON molto bassa che lo rende adatto per le applicazioni di ricarica rapida.
Toshiba Electronics Europe ha lanciato un MOSFET a canale N a drain comune da 12V con una potenza nominale di 20A, da utilizzare nei circuiti di protezione della batteria nei pacchi batterie agli ioni di litio (Li-ion), come quelli comunemente utilizzati per smartphone, tablet, power bank, fotocamere digitali compatte, fotocamere reflex digitali e altre applicazioni simili.
La sicurezza della batteria agli ioni di litio risulta migliorata grazie alla presenza di circuiti di protezione di grande robustezza che riducono la produzione di calore durante la carica e la scarica. Per soddisfare le prestazioni di ricarica richieste, questi circuiti devono avere un basso consumo energetico. Data la natura compatta di queste soluzioni, i MOSFET devono presentare dimensioni contenute e profili ridotti, pur offrendo bassi livelli di resistenza.
Il nuovo MOSFET SSM14N956L da 20A è caratterizzato da una tensione source-source (VSSS) di 12V che utilizza il micro-processo di Toshiba già impiegato in passato per la produzione del MOSFET SSM10N954L da 13,5 A. Ciò garantisce caratteristiche eccellenti di resistenza di on (RSS(ON)), pari ad appena 1mohm, con una conseguente riduzione delle perdite di conduzione. Inoltre, il processo offre una bassa corrente di dispersione al gate-source (IGSS) di ±1 μA (max.), che consente di ottenere un consumo energetico contenuto in standby. Insieme, queste carattaristiche assicurano un funzionamento prolungato della batteria tra le cariche.
Per potersi adattare agli spazi ristretti che caratterizzano queste applicazioni, il nuovo SSM14N956L è alloggiato in un package chip-scale, noto come TCSPED-302701. Le dimensioni sono di soli 2,74mm x 3,0mm con un’altezza tipica di appena 0,085mm.
Le consegne del nuovo dispositivo sono iniziate oggi.
Ulteriori informazioni sul MOSFET SSM14N956L sono disponibili al seguente link.
