La nuova serie di IGBT fornisce prestazioni di conduzione e perdita di commutazione eccezionalmente basse con alti livelli di robustezza a temperature di esercizio fino a 175 °C.
Nexperia annuncia il suo ingresso nel mercato degli IGBT con una gamma di dispositivi da 600 V, a partire dall’NGW30T60M3DF da 30 A. Nexperia ha aggiunto gli IGBT al suo ampio portafoglio di dispositivi di potenza per affrontando la crescente domanda di semiconduttori di commutazione ad alta tensione, con sempre più avanzati requisiti di efficienza, prestazioni ed attenzione ai costi. I nuovi dispositivi consentono una maggiore densità di potenza nelle applicazioni di conversione e di azionamento del motore, inclusi azionamenti di motori industriali come servomotori da 5 a 20 kW (20 kHz), robotica, ascensori, manipolatori, produzione in linea, inverter di potenza, gruppi di continuità (UPS), stringhe fotovoltaiche (FV), ricarica EV, riscaldamento e saldatura a induzione.
IGBT è una tecnologia relativamente matura. Tuttavia, si prevede che il mercato di questi dispositivi crescerà in linea con la crescente adozione di pannelli solari e caricabatterie per veicoli elettrici (EV). Gli IGBT da 600 V di Nexperia sono caratterizzati dalla tecnologia costruttiva carrier-stored trench-gate advanced field-stop (FS), robusta ed economica, che fornisce prestazioni di conduzione e perdita di commutazione eccezionalmente basse con alti livelli di robustezza a temperature di esercizio fino a 175 °C.
I progettisti possono scegliere tra la serie di IGBT a media velocità (M3) e ad alta velocità (H3). I nuovi IGBT sono stati progettati con distribuzioni di parametri molto stretti, consentendo a più dispositivi di connettersi in modo sicuro in parallelo. Inoltre, la minore resistenza termica rispetto ai dispositivi della concorrenza consente loro di fornire una maggiore potenza di uscita. Gli IGBT sono dotati di veloci diodi a recupero inverso. Ciò significa che sono adatti sia per raddrizzatori e applicazioni di circuiti bidirezionali che per la protezione da sovracorrente.
“Con il rilascio di questi IGBT, Nexperia offre ai progettisti una scelta più ampia di dispositivi di commutazione per un’ampia gamma di applicazioni di potenza“, ha affermato il Dr. Ke Jiang, General Manager Business Group Insulated-Gate Bipolar Transistors & Modules di Nexperia. “Gli IGBT sono il complemento ideale alla gamma esistente di dispositivi di commutazione CMOS e wide-bandgap, rendendo Nexperia un fornitore unico per qualsiasi esigenza di elettronica di potenza.”
I nuovi IGBT sono disponibili in un package standard TO247-3L senza piombo e sono qualificati HV-H3TRB per applicazioni esterne. Nexperia prevede di commercializzare in tempi brevi una nuova serie di IGBT da 1200 V.
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