venerdì, Novembre 22, 2024
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ROHM inizia la produzione in volumi di HEMT GaN da 650 V in grado di offrire prestazioni ai vertici del settore

Consentono di aumentare l’efficienza e la miniaturizzazione in un’ampia categoria di sistemi di potenza, compresi server e adattatori AC.

ROHM ha avviato la produzione in massa di dispositivi HEMT (High Electron Mobility Transistor o heterostructure FET) di potenza con tecnologia GaN (nitruro di gallio) da 650 V, i modelli GNP1070TC-Z e GNP1150TCA-Z, ottimizzati per un’ampia serie di applicazioni di potenza. Si tratta di nuovi prodotti messi a punto congiuntamente ad Ancora Semiconductors, Inc – affiliata di Delta Electronics, Inc. – che sviluppa dispositivi GaN.

Il miglioramento dell’efficienza di alimentatori e motori, che costituiscono la quota maggiore del consumo di elettricità a livello mondiale, rappresenta uno scoglio significativo lungo la strada che porta a una società decarbonizzata. L’adozione di nuovi materiali, come il GaN e il SiC è fondamentale per migliorare l’efficienza degli alimentatori.

Dopo avere avviato la produzione in volumi di HEMT GaN da 150 V – che nel 2022 presentavano una tensione di scarica distruttiva di gate di 8 V – a marzo 2023 ROHM ha implementato la tecnologia dei circuiti integrati di controllo per portare le prestazioni GaN ai massimi livelli. Questa volta ROHM ha sviluppato gli HEMT GaN da 650 V, che si distinguono per le migliori prestazioni sul mercato, estendendo caratteristiche di maggiore efficienza e dimensioni più ridotte a una serie più ampia di sistemi di potenza.

I modelli GNP1070TC-Z e GNP1150TCA-Z offrono le prestazioni più avanzate del settore in termini di RDS(ON) × Ciss e RDS(ON) × Coss, cifra di merito per che si traduce in una maggior efficienza dei sistemi di potenza. Al tempo stesso, un elemento di protezione integrato contro le scariche elettrostatiche (ESD) migliora fino a 3,5 kV la resistenza elettrostatica alle scariche disruptive, conferendo così maggior affidabilità all’applicazione. Le caratteristiche di commutazione ad alta velocità dei dispositivi HEMT GaN contribuiscono altresì alla maggiore miniaturizzazione dei componenti periferici.

ROHM continua a migliorare le prestazioni dei dispositivi attraverso la sua line-up di dispositivi EcoGaN che contribuisce a potenziare i risparmi energetici dell’applicazione e la miniaturizzazione. Con lo sviluppo dei prodotti, ROHM promuove anche lo sviluppo congiunto basato sulle partnership strategiche, per contribuire alla risoluzione delle problematiche sociali grazie ad applicazioni sempre più efficienti e compatte.

Il marchio EcoGaN
È la nuova line-up di dispositivi GaN di ROHM. Questi ultimi contribuiscono alla preservazione dell’energia e alla miniaturizzazione portando le caratteristiche GaN ai massimi livelli: l’obiettivo consiste nell’ottenere un minor consumo di potenza delle applicazioni, componenti periferici ridotti e progetti più semplici che richiedono un minor numero di componenti.

Line-up di prodotti

Esempi applicativi
L’ideale per una vasta serie di sistemi di potenza previsti dalle apparecchiature industriali e dai dispositivi consumer, ivi compresi server e adattatori AC.