Infineon Technologies ha integrato con successo la tecnologia hybrid-drain-embedded gate injection transistor (HD-GIT) nella sua famiglia di dispositivi CoolGaN 600 V. L’azienda sta attualmente rilasciando il portafoglio completo di questi dispositivi GaN realizzati sfruttando la catena di fornitura interamente controllata e di proprietà di Infineon. Il portafoglio GaN include un’ampia gamma di dispositivi GaN discreti e completamente integrati che superano di gran lunga i requisiti di durata JEDEC.
I nuovi dispositivi CoolGaN sono stati ottimizzati per varie applicazioni che vanno dall’SMPS industriale (server, telecomunicazioni, solare) e alle applicazioni di consumo, come ad esempio caricabatterie e adattatori, azionamenti per motori, televisore/monitor e sistemi di illuminazione a led.
Il portafoglio di dispositivi CoolGaN per stadi di potenza discreti e integrati (IPS) offre ai progettisti la flessibilità necessaria per soddisfare le loro esigenze specifiche per applicazioni industriali conformi agli standard JEDEC (JESD47 e JESD22).
I dispositivi discreti CoolGaN GIT HEMT sono disponibili in contenitori DSO-20-85, DSO-20-87, HSOF-8-3, LSON-81- e TSON-8, e con valori di RDS (ON) compresi tra 42 e 340 mΩ. Le soluzioni IPS si presentano sotto forma di dispositivi half-bridge e single-channel. Le soluzioni a mezzo ponte integrano due switch GaN e sono alloggiate in un contenitore TIQFN-28 con valori di RDS (ON) di (2x) 190-650 mΩ. Le soluzioni a canale singolo sono disponibili in un contenitore TIQFN-21 potenziato termicamente con valori di RDS (ON) compresi nell’intervallo 130-340 mΩ.
La tecnologia CoolGaN GIT di Infineon presenta una combinazione unica di una robusta struttura di gate, protezione interna contro le scariche elettrostatiche (ESD) ed eccellenti prestazioni di conduzione. Sfrutta appieno le proprietà intrinseche del GaN per fornire figure di merito (FoM) eccezionali rispetto alla tecnologia Si, come un campo di rottura dieci volte superiore, una mobilità due volte superiore, una carica di uscita dieci volte inferiore, una carica di recupero inversa pari a zero e una capacità di gate 10 volte inferiore con uscita lineare (COSS).
Queste caratteristiche tecniche forniscono significativi vantaggi di progettazione come un RDS (ON) molto basso, una migliore efficienza nei circuiti risonanti, l’uso di nuove topologie e modulazione di corrente, oltre a una commutazione rapida e quasi senza perdite.
La gamma di dispositivi discreti CoolGaN 600 V GIT di Infineon comprende package conformi a JEDEC con raffreddamento sia superiore che inferiore (TSC/BSC). I package di potenza CoolGaN TSC sono unici sul mercato, e soddisfano i requisiti di potenza più elevati. I vantaggi per i progettisti sono molteplici e alla fine portano a prodotti compatti e leggeri con elevata densità di potenza, migliore efficienza energetica e costi totali di sistema ridotti. L’impegno di Infineon per gli standard di qualità garantisce robustezza e affidabilità a lungo termine senza pari, riducendo i costi operativi e di manutenzione per le applicazioni ad alto consumo energetico.
Disponibilità
I dispositivi CoolGaN di Infineon sono in produzione in volumi e i campioni possono essere ordinati da subito.
Ulteriori informazioni sono disponibili al seguente link. Il portfolio CoolGaN 600 V GIT HEMT sarà presentato a PCIM Europe 2023.
Infineon a PCIM 2023
A PCIM Europe 2023, Infineon presenta soluzioni innovative – da prodotto a sistema – per applicazioni che alimenteranno il mondo e daranno forma al futuro. I rappresentanti dell’azienda terranno anche diverse presentazioni in occasione della Conference e del Forum dell’industria e della mobilità elettrica, con presentazioni video dal vivo e su richiesta, seguite da discussioni con i relatori. Infineon sarà presente al booth n. 412 nel padiglione 7, dal 9 all’11 maggio 2023 a Norimberga, Germania.
Ulteriori informazioni sulla partecipazione di Infineon a PCIM Europe sono disponibili al seguente link.
