Le migliorate caratteristiche di recupero inverso riducono significativamente le perdite di rettifica sincrone.
Toshiba Electronics Europe ha lanciato un nuovo MOSFET di potenza a canale N da 150 V basato sul processo U-MOS XH Trench di ultima generazione. Il nuovo dispositivo (TPH9R00CQ5) è specificamente progettato per l’uso in alimentatori switching ad alte prestazioni come quelli utilizzati nelle stazioni base di comunicazione e in altre applicazioni industriali.
Con una classificazione VDSS massima di 150 V e una gestione della corrente (ID) di 64 A, il nuovo dispositivo vanta una resistenza in conduzione drain-source RDSON particolarmente bassa.
Nelle soluzioni di alimentazione ad alte prestazioni che utilizzano la rettifica sincrona, le prestazioni di recupero inverso sono estremamente importanti. Grazie all’impiego di un body diode ad alta velocità, il nuovo TPH9R00CQ5 riduce la carica di recupero inverso (Qrr) di circa il 74% (a 34nC tipici) rispetto a un dispositivo esistente come il TPH9R00CQH. Inoltre, il tempo di ripristino inverso (trr) di soli 40 ns rappresenta un miglioramento di oltre il 40% rispetto ai dispositivi precedenti.
Insieme a una bassa carica di gate (Qg) di soli 44 nC, questi miglioramenti contribuiscono in modo significativo alla riduzione delle perdite e all’aumento della densità di potenza nelle soluzioni di alimentazione ad alte prestazioni ed alta efficienza. La temperatura di canale di 175ºC (max) – molto alta per un MOSFET con diodo ad alta velocità – offre ai progettisti un maggiore margine termico.
Il nuovo dispositivo riduce anche i picchi di tensione creati durante la commutazione, migliorando così le caratteristiche EMI dei progetti, riducendo al contempo la necessità di filtraggio. Il dispositivo utilizza un versatile contenitore SOP Advance(N) a montaggio superficiale che misura solo 4,9 mm x 6,1 mm x 1,0 mm.
Per supportare i progettisti, Toshiba ha sviluppato un modello G0 SPICE per una rapida verifica della funzione del circuito, oltre a modelli G2 SPICE altamente accurati, per una riproduzione precisa delle caratteristiche transitorie.
Ulteriore supporto alla progettazione è disponibile sotto forma di progetti di riferimento avanzati, ora disponibili sul sito Web di Toshiba. Questi includono un convertitore DC/DC buck-boost non isolato da 1 kW, un inverter basato su MOSFET multilivello trifase e un convertitore DC/DC a ponte intero da 1 kW, che utilizzano tutti il nuovo TPH9R00CQ5.
Il nuovo MOSFET è già disponibile in volumi di produzione.
