Diodes Incorporated introduce l’ultima aggiunta al suo portafoglio di prodotti in carburo di silicio (SiC): il MOSFET SiC a canale N DMWS120H100SM4. Si tratta di un dispositivo risponde alla domanda di maggiore efficienza e maggiore densità di potenza in applicazioni quali azionamenti di motori industriali, inverter solari, data center e alimentatori per telecomunicazioni, convertitori DC-DC e caricabatterie per veicoli elettrici (EV).
Il DMWS120H100SM4 funziona con una tensione fino a 1.200V ed una corrente fino a 37 A pur mantenendo una bassa conducibilità termica (R θJ C = 0,6 °C/W), rendendolo adatto per applicazioni in ambienti particolarmente difficili. Questo MOSFET ha un basso RDS (ON) di soli 80 mΩ (per un gate drive da 15 V) per ridurre al minimo le perdite di conduzione e fornire una maggiore efficienza. Inoltre, il dispositivo ha una carica di gate di soli 52nC per ridurre le perdite di commutazione e abbassare la temperatura del package.
Si tratta del primo MOSFET SiC sul mercato in un contenitore TO247-4. Il pin di rilevamento Kelvin aggiuntivo può essere collegato al source del MOSFET per ottimizzare le prestazioni di commutazione, consentendo così densità di potenza ancora più elevate.
Il MOSFET DMWS120H100SM4 è qualificato per AEC-Q101 ed è prodotto in stabilimenti certificati IATF 16949.
La confezione da 20 pezzi del DMWS120H100SM4 è disponibile a 21,50 dollari.
