I semiconduttori NexGen Vertical GaN offrono la migliore resistenza nei confronti dell’effetto valanga e dei corto circuiti in applicazioni automobilistiche e in altre applicazioni di elevata potenza.
NexGen Power Systems, azienda californiana focalizzata sulla progettazione, sviluppo e produzione di semiconduttori con tecnologia Vertical GaN per applicazioni di alta potenza, ha annunciato oggi la disponibilità di campioni tecnici e programmi di produzione per i suoi più avanzati dispositivi a semiconduttore NexGen Vertical GaN da 700 V e 1200 V.
I Fin-jFET GaN e-mode verticali da 1200 V di NexGen sono gli unici dispositivi wide-bandgap ad essere in grado di funzionare a 1,4 kV con una frequenza di commutazione maggiore di 1 MHz. Disponibili dalla metà del 2022 in campioni per clienti e partner strategici, i semiconduttori Vertical GaN di NexGen dovrebbero essere disponibili in volumi di produzione nel terzo trimestre del 2023.
Secondo Shahin Sharifzadeh, amministratore delegato dell’azienda, “Nessun altro dispositivo a semiconduttore può eguagliare le prestazioni offerte dai Vertical GaN di NextGen. Siamo particolarmente orgogliosi di essere la prima azienda in assoluto a fornire, dalla nostra struttura di Syracuse, New York, campioni di produzione di dispositivi da 700 V e 1200 V che utilizzano la tecnologia GaN-on-GaN“.
“In poche parole – continua Shahin Sharifzadeh – i semiconduttori di NexGen consentiranno ai nostri clienti di sviluppare soluzioni di alimentazione che non sono stati in grado di realizzare con tecnologie al silicio, carburo di silicio o GaN-on-silicon. Mentre molti ne parlano da decenni, entro il terzo trimestre di quest’anno, NexGen fornirà dispositivi GaN con struttura verticale funzionanti a 1200 V e frequenze di commutazione fino a 10 MHz, pur essendo in grado di resistere a tensioni di 1470 V. Mentre passiamo alla produzione su larga scala dopo i significativi passi avanti compiuti nell’ultimo anno, non vediamo l’ora di vedere i nostri clienti del settore automobilistico, dei data center, dell’illuminazione a LED e dell’industria fornire miglioramenti fondamentali, che cambiano il mercato, nell’efficienza energetica e nelle prestazioni dei loro prodotti.”
Ulteriori informazioni sui prodotti NexGen Vertical GaN sono disponibili al seguente link.
NexGen Power Systems progetta, sviluppa e produce semiconduttori NexGen Vertical GaN per applicazioni innovative ad alta potenza e sistemi di conversione di potenza. I sistemi di alimentazione più piccoli, più leggeri ed efficienti di NexGen rendono possibile la prossima generazione di sistemi di conversione e generazione di energia e accelereranno la transizione verso fonti di energia rinnovabile più pulite e migliorate. Il fondamentale portafoglio di brevetti di NexGen per le tecnologie Vertical GaN comprende oltre 100 brevetti nelle architetture dei dispositivi Vertical GaN, nella tecnologia di processo e nei circuiti.
NexGen ha sede a Santa Clara, in California, e produce i suoi semiconduttori negli Stati Uniti presso il suo stabilimento di Syracuse, New York.
