Toshiba lancia due nuovi MOSFET di potenza a canale N da 200 e 400 ampere con avanzate capacità di dissipazione

I dispositivi da 40 V adatti all’impiego automobilistico utilizzano un contenitore L-TOGLT con prestazioni termiche avanzate.

Toshiba Electronics Europe ha lanciato due nuovi MOSFET di potenza a canale N da 40 V di livello automobilistico in grado di offrire prestazioni di grande impatto sui veicoli di prossima generazione. L’XPQR3004PB e l’XPQ1R004PB utilizzano il rivoluzionario package ad “ala di gabbiano” denominato L-TOGL.

Ancor prima di entrare nella fase di produzione in volumi, l’XPQR3004PB è riuscito a vincere la categoria Power Semiconductor/Driver of 2022 ai recenti World Electronics Achievement Awards (WEAA) organizzati da AspenCore.

Grazie al package L-TOGL e alle migliori caratteristiche di dissipazione del calore, i MOSFET Toshiba appena rilasciati sono ottimizzati per gestire elevate correnti. Ognuno di essi è caratterizzato da valori nominali di corrente di drain di 400 A per il XPQR3004PB e di 200 A per il XPQ1R004PB, oltre a valori di resistenza in conduzione (ON) leader del settore.

La speciale struttura interna di connessione riduce la resistenza del package (e le perdite associate) di circa il 70% rispetto al package TO-220SM(W) standard. La valutazione della corrente di drain risultante (I_D) dell’XPQR3004PB rappresenta un aumento del 60% rispetto all’attuale TKR74F04PB, alloggiato nel contenitore TO-220SM(W). Inoltre, la spessa struttura in rame riduce l’impedenza termica tra giunzione e custodia che è di 0,2°C/W per il dispositivo XPQR3004PB e di 0,65°C/W per il MOSFET XPQ1R004PB. Ciò facilita la dissipazione del calore, abbassa le temperature di esercizio e migliora l’affidabilità.

Destinati all’uso in applicazioni automobilistiche impegnative con temperature fino a 175°C, XPQR3004PB e XPQ1R004PB sono entrambi qualificati AEC-Q101. La configurazione del contenitore consente una facile ispezione visiva, contribuendo così a migliorare l’affidabilità della saldatura.

Se utilizzati in applicazioni automobilistiche ad alta corrente, come relè a semiconduttore o generatori di avviamento integrati (ISG), XPQR3004PB e XPQ1R004PB consentono di semplificare i progetti e di ridurre il numero di MOSFET richiesti. Ciò significa che è possibile realizzare riduzioni di dimensioni, peso e costi.

Le spedizioni in volumi di questi dispositivi sono già iniziate.