Il nuovo Gate Driver pilota dispositivi di potenza da 1200 V e garantisce una tensione di isolamento di 3,75 kVrms.
Renesas Electronics ha annunciato oggi un nuovo gate driver progettato per pilotare dispositivi di potenza ad alta tensione come gli IGBT e i MOSFET SiC utilizzati negli inverter dei veicoli elettrici.
I circuiti integrati che svolgono la funzione di gate driver sono dei componenti cruciali per gli inverter EV, gestendo l’interfacciamento tra il microcontrollore (MCU) che controlla l’inverter e gli IGBT o MOSFET SiC che forniscono la potenza all’inverter. Essi ricevono i segnali di controllo che provengono dal microcontrollore che lavora nel dominio della bassa tensione e convertono questi segnali in comandi compatibili con quelli richiesti dai dispositivi di potenza che invece lavorano nel dominio delle alte tensioni, il tutto in modo rapido ed accurato. Per adattarsi alle tensioni più elevate delle batterie dei veicoli elettrici, il gate driver RAJ2930004AGM incorpora un sistema di isolamento da 3,75 kVrms, valore superiore a quello dei gate driver della generazione precedente (2,5 kVrms) e che consente la gestione di dispositivi di potenza che lavorano fino a 1200 V. Inoltre il nuovo gate driver vanta un livello di prestazioni CMTI (Common Mode Transient Immunity) di 150 V/ns o superiore, rendendo in questo modo possibile un livello di immunità e di affidabilità superiori, pur incrementando la tensione di bus e le frequenze di commutazione come richiesto dalle nuove generazioni dei sistemi inverter. Il nuovo prodotto un package SOIC16 di piccole dimensioni e si presenta come la soluzione ideale sia dal punto di vista tecnico sia dal punto di vista economico per gli inverter EV.
Il dispositivo RAJ2930004AGM può pilotare gli IGBT forniti da Renesas così come gli IGBT e i MOSFET SiC di altri fornitori. Oltre agli inverter di trazione, il gate driver è ideale per un’ampia gamma di applicazioni che utilizzano semiconduttori di potenza, come caricatori di bordo e convertitori DC/DC. Per supportare gli sviluppatori nello sforzo di portare rapidamente i propri prodotti sul mercato, Renesas offre la soluzione xEV Inverter Kit che associa gate driver a microcontrollori e dispositivi di potenza IGBT e che utilizzerà il nuovo gate driver nella nuova versione del kit cxhe sarà disponibile nella prima metà del 2023.
“Renesas è lieta di offrire un gate driver di seconda generazione per applicazioni automotive con elevata tensione di isolamento e prestazioni CMTI di livello superiore”, ha affermato Akira Omichi, vicepresidente della divisione aziendale Automotive Analog Application Specific di Renesas. “Continueremo a guidare lo sviluppo delle applicazioni per i veicoli elettrici offrendo soluzioni che riducano al minimo la perdita di potenza e soddisfino elevati livelli di sicurezza funzionale nei sistemi dei nostri clienti.”
Principali caratteristiche del nuovo Gate Driver RAJ2930004AGM
- Prestazioni di Isolamento:
– Tensione di Isolamento: 3,75 kVrms
– CMTI (Common Mode Transient Immunity): 150V/ns - Caratteristiche del Modulo di Pilotaggio del Gate:
– Corrente di Picco: 10 A - Funzioni di Protezione e di Rilevamento dei Guasti:
– Miller Clamp Attivo Integrato
– Soft turn-off
– Overcurrent protection (DESAT protection)
– Under voltage lockout (UVLO)
– Fault feedback - Gamma di temperatura operativa: da -40 °C a 125 °C (Tj: 150 °C max)
Questo prodotto nasce con l’ambizione di supportare il processo di diffusione dei veicoli elettrici grazie alla realizzazione di inverter più efficienti e più economici con il risultato finale di ridurre l’impatto ambientale.
Disponibilità
Il Gate Driver RAJ2930004AGM è attualmente disponibile in campioni, con la produzione in volumi che inizierà nel primo trimestre del 2024.
Ulteriori informazioni sono disponibili al seguente link.
