Nexperia presenta i nuovi ASFET (MOSFET Application Specific) per applicazioni Hotswap e Soft Start con SOA raddoppiata

Resistenza in conduzione e SOA ottimizzati consentono di gestire in sicurezza le correnti di spunto nelle applicazioni Hotswap e Soft Start a 12 V.

Nexperia annuncia l’ampliamento del suo portafoglio di ASFET (MOSFET Application Specific) per “Hotswap e Soft Start” con l’introduzione di 10 nuovi dispositivi da 25V e 30V ottimizzati per prestazioni SOA (Enhanced Safe Operating Area) leader del settore con livelli particolarmente bassi di R_DS(on), che li rende ideali per l’uso in applicazioni hotswap a 12 V, inclusi server di data center e apparecchiature di comunicazione.

Da tempo Nexperia studia e produce ASFET leader di mercato, dispositivi MOSFET con caratteristiche prestazionali migliorate per soddisfare i requisiti di particolari applicazioni; nel corso degli anni, l’azienda ha lanciato ASFET di successo ottimizzati per sistemi di isolamento della batteria, controlli motore DC, Power-over-Ethernet, airbag automobilistici e altro ancora.

Nelle applicazioni hotswap le correnti di spunto possono rappresentare una sfida per l’affidabilità. Nexperia, pioniere nei MOSFET SOA potenziati, ha affrontato questo problema progettando un portafoglio di “ASFET per Hotswap e Soft Start con SOA potenziato“, completamente ottimizzati per tali applicazioni. L’ASFET PSMNR67-30YLE offre una SOA 2,2 volte più forte (12 V a 100 mS) rispetto alle tecnologie precedenti, pur avendo un R_DS(on) (max) di appena 0,7 mΩ. L’effetto “Spirito” (rappresentato dalla pendenza verso il basso più ripida riscontrata sulle curve SOA a tensioni più elevate) è stato eliminato, mentre le elevati prestazioni vengono mantenute nell’intero intervallo di tensione e temperatura rispetto ai dispositivi non ottimizzati.

Nexperia supporta ulteriormente i progettisti eliminando la necessità di declassare termicamente i progetti, caratterizzando completamente questi nuovi dispositivi a 125 °C e fornendo le curve dei fogli dati SOA a caldo.

Con otto nuovi dispositivi (tre da 25 V e cinque da 30 V) disponibili in una scelta di package LFPAK56 e LFPAK56E con R_DS(on) che va da 0,7 mΩ a 2 mΩ, la maggior parte delle applicazioni hotswap e soft start può essere affrontata in sicurezza. Due ulteriori prodotti a 25 V (che avranno un R_DS(on) ancora più basso, di 0,5 mΩ) sono previsti per il rilascio nei prossimi mesi.

Ulteriori informazioni sono disponibili al seguente link.