Per soddisfare le esigenze di nuovi package più performanti e prodotti ad alta efficienza energetica, Infineon Technologies ha sviluppato la nuova famiglia di MOSFET ad alta tensione CoolMOS PFD7, stabilendo un nuovo punto di riferimento nella tecnologia supergiunzione (SJ) a 950 V. La nuova serie a 950 V combina prestazioni eccezionali con una facilità d’uso all’avanguardia e integra un diodo fast body che garantisce un dispositivo robusto e, a sua volta, una distinta base (BOM) ridotta. Progettati su misura per una elevatissima densità di potenza e massima efficienza nel design, i nuovi prodotti sono destinati al mercato dei sistemi di illuminazione e a quello delle applicazioni SMPS, consumer e industriali.
I nuovi prodotti sono adatti per sistemi flyback, PFC e LLC/LCC, comprese le configurazioni a mezzo ponte o a ponte intero che rendono la commutazione robusta e affidabile. Integrando un fast body ultraveloce con una carica di recupero inversa ultra-bassa (Qrr), offrono robustezza e affidabilità di commutazione. Ciò ne fa il MOSFET SJ più robusto in questa classe di tensione, e lo rende adatto a tutte le topologie. Inoltre, le perdite di commutazione significativamente ridotte (EOSS , QOSS e Qg ) migliorano l’efficienza nelle applicazioni di commutazione hard e soft e si traducono in una temperatura del MOSFET fino a 4°K inferiore rispetto al MOSFET SJ CoolMOS C3 da 900 V. I nuovi prodotti migliorano l’efficienza nei PFC sia a pieno carico che con carico leggero di oltre lo 0,2 percento e allo stesso tempo eguagliano le prestazioni per quanto riguarda l’efficienza LLC, garantendo un maggiore risparmio energetico.
La nuova famiglia offre fino al 55% in meno di resistenza RDS(on) in vari package SMD e THD, dai 450 mΩ in DPAK ai 60 mΩ in TO247. Ciò consente ai progettisti di utilizzare contenitori più piccoli e aumentare la densità di potenza, risparmiando spazio sul PCB, sulla distinta base e sui costi di produzione. Una tensione di soglia gate-source (V(GS),th) di 3 V con la più piccola variazione (±0,5 V), rende i nuovi dispositivi facili da progettare e integrare, portando a una maggiore libertà nel design. A causa della bassa tensione di soglia e di tolleranza, viene evitato il funzionamento in modalità lineare del MOSFET, consentendo un pilotaggio con una tensione inferiore e una riduzione delle perdite in idle mode. Inoltre, una carica di gate migliorata del 60% rispetto a CoolMOS C3 si traduce in perdite significativamente inferiori. La robustezza ESD è assicurata da un livello HBM (human body model) di classe 2, con una riduzione dei guasti correlati alle scariche elettrostatiche e una migliore resa di produzione.
Disponibilità
La nuova famiglia CoolMOS PFD7 da 950 V è dotata di un’eccezionale granularità del portafoglio, con package SMD e THD per consentire fattori di forma più piccoli con una maggiore densità di potenza e risparmi sulla distinta base. Tutte le varianti di prodotto sono già ordinabili. Maggiori informazioni sono disponibili al seguente link.
