Grazie a 30 milioni di dollari di contributi federali, GlobalFoundries si avvicina alla produzione su larga scala di chip al nitruro di gallio di prossima generazione nel suo stabilimento Vermont Fab, leader nella produzione di semiconduttori RF.
GlobalFoundries e il senatore statunitense Patrick Leahy hanno annunciato oggi l’assegnazione di 30 milioni di dollari in finanziamenti federali per far avanzare lo sviluppo e produzione di chip al nitruro di gallio su silicio (GaN-on-Si) di nuova generazione presso lo stabilimento di GF a Essex Junction nel Vermont. Con la loro capacità unica di gestire livelli di calore e potenza significativi, i semiconduttori GaN consentono prestazioni ed efficienza rivoluzionarie in applicazioni tra cui smartphone 5G e 6G, infrastrutture wireless RF, veicoli elettrici, reti elettriche, energia solare e altre tecnologie.
L’annuncio è stato fatto durante un evento al quale al quale hanno partecipato, tra gli altri, il senatore Leahy, il presidente e CEO di GF Dr. Thomas Caulfield e il vicepresidente e direttore generale di GF Vermont Fab Ken McAvey. Il finanziamento federale di 30 milioni di dollari, garantito dal senatore Leahy come stanziamento nel Consolidated Appropriations Act per l’anno fiscale 2022, consentirà a GF di acquistare strumenti ed estendere lo sviluppo e l’implementazione della produzione di wafer GaN da 200 mm. La produzione in volumi di dispositivi GaN rafforza la leadership globale della struttura Vermont Fab nella tecnologia dei semiconduttori RF e posiziona GF come leader nella produzione di chip per applicazioni ad alta potenza, inclusi veicoli elettrici, motori industriali ed applicazioni energetiche.
“La leadership e la dedizione del senatore Leahy sono state fondamentali per la crescita e il successo della produzione di semiconduttori nel Vermont“, ha affermato il dott. Caulfield. “A nome dell’intero team del GF, ringrazio il senatore Leahy per il suo costante sostegno al GF durante i suoi molti anni in carica. Come si è visto con l’annuncio di oggi, è stato un campione nel mettere questa struttura in prima linea a livello mondiale nella produzione di semiconduttori. Con questo nuovo finanziamento federale e il potenziale ulteriore sostegno nel bilancio federale 2023, GF è ben posizionata per diventare un leader globale nella produzione di chip GaN, proprio qui nel Vermont“.
“I chip utilizzati in tutto il mondo sono prodotti proprio qui a Essex Junction”, ha affermato il senatore Leahy. “Ne sono estremamente orgoglioso, ed è qualcosa di cui tutti gli abitanti del Vermont e gli americani possono essere orgogliosi. Questo finanziamento è un investimento nella leadership degli Stati Uniti nel miglioramento della tecnologia per i chip che collegano tutto ciò che ci circonda e alimentano i nostri dispositivi palmari”.
Questo Other Transaction Agreement (OTA) è stato stipulato dalla Defense Microelectronics Activity tramite il Trusted Access Program Office (TAPO) del Dipartimento della Difesa degli Stati Uniti. La missione principale del TAPO è quella di procurare semiconduttori avanzati per le piattaforme dei sistemi d’arma più critiche e sensibili del Dipartimento. TAPO supporta il doppio uso (applicazioni civili e militari) di GaN sul silicio dal 2019 poiché GaN fornisce un semiconduttore adatto a dispositivi ad alta potenza e alta frequenza di cui il Dipartimento della Difesa ha bisogno per mantenere il vantaggio tecnologico per gli Stati Uniti. L’attuale fase di sviluppo prevede di sfruttare i precedenti successi TAPO e continuare a far maturare questa tecnologia.
“GlobalFoundries è stato un partner fondamentale per il Trusted Access Program Office e per le piattaforme di sistemi d’arma più avanzate del Dipartimento. Questo impegno è solo un passo che il Dipartimento della Difesa sta compiendo per garantire che gli Stati Uniti abbiano accesso continuo a tecnologie microelettroniche avanzate come il nitruro di gallio“, ha affermato Nicholas Martin, direttore del DMEA.
L’accordo da 30 milioni di dollari è l’ultimo investimento federale a sostegno della tecnologia GaN presso il Vermont Fab di GlobalFoundries. Negli anni fiscali 2020 e 2021, il senatore Leahy si è assicurato un totale di 10 milioni di dollari per la ricerca e lo sviluppo relativi all’avanzamento della tecnologia GaN presso la struttura, aprendo la strada a questo nuovo stanziamento.
Lo stabilimento di GF a Essex Junction (Fab9) nel Vermont, vicino a Burlington, è stato tra i primi grandi siti di produzione di semiconduttori negli Stati Uniti. Oggi vi lavorano quasi 2.000 dipendenti GF, con una capacità di produzione di oltre 600.000 wafer all’anno. I chip realizzati da GF nel Vermont Fab sono utilizzati in smartphone, automobili e applicazioni per infrastrutture di comunicazione in tutto il mondo. Nello stabilimento vengono prodotti anche, in collaborazione con il Dipartimento della Difesa degli Stati Uniti, alcuni dei sistemi aerospaziali e di difesa più sensibili della nazione. Per queste applicazioni, GlobalFoundries collabora con Raytheon Technologies, azienda statunitense leader nel settore della tecnologia aerospaziale e della difesa.
