Secondo IC Insights, Samsung, SK Hynix e Micron hanno monopolizzato il mercato mondiale che ormai conta solamente sei aziende attive nel settore.
I dati provengono dall’Aggiornamento del 2° trimestre di IC Insights – società di consulenza e ricerche di mercato – al The McClean Report 2022.
Il report completo, disponibile per gli abbonati, include previsioni per l’economia globale del 2022, dati di mercato particolarmente dettagliati, previsioni sull’andamento dei prezzi e delle spedizioni di IC e OSD fino al 2026, classifiche dei fornitori di semiconduttori per tipologia di prodotto, la classifica dei primi 25 fornitori di semiconduttori del 1Q22, un’analisi dei mercati regionali con particolare attenzione al mercato cinese, le tendenze di spesa per la ricerca e lo sviluppo dei semiconduttori e una panoramica di numerosi programmi di investimento sponsorizzati dai governi.
Per quanto riguarda le DRAM, negli ultimi 30 anni, il mercato di queste memorie ha visto alternarsi periodi di crescita spettacolare con anni di crolli devastanti (Figura 1). Più di recente, il mercato delle DRAM è sceso del 37% nel 2019 ma è salito del 42% nel 2021. I cicli di boom-bust hanno ridotto il numero dei principali fornitori di DRAM da 20 a metà degli anni ’90 ai sei di oggi. I tre maggiori fornitori, Samsung, SK Hynix e Micron, detenevano complessivamente una quota di mercato DRAM del 94% nel 2021 (Figura 2). Samsung e SK Hynix, con sede in Corea del Sud, hanno rappresentato il 71,3% delle vendite mondiali di DRAM lo scorso anno.
Con una quota di mercato del 44%, Samsung è rimasto il più grande fornitore mondiale di DRAM nel 2021, con vendite che hanno raggiunto quasi 41,9 miliardi di dollari. L’anno scorso Samsung ha spinto la sua attività DRAM su più fronti. Dopo essere stata la prima azienda ad utilizzare la litografia ultravioletta estrema (EUV) nel marzo 2020, Samsung ha iniziato la produzione in serie di DRAM a 14 nm basata su EUV nell’ottobre 2021. In tal modo, ha aumentato il numero di layer da due a cinque per la sua DDR5 a 14 nm più avanzata.
Nel novembre 2021, Samsung ha dichiarato di aver applicato la sua tecnologia EUV per sviluppare una DRAM da 14 nm 16 Gb a bassa potenza e doppia velocità (LPDDR5X), specifica per applicazioni ad alta velocità tra cui 5G, intelligenza artificiale (AI), machine learning (ML) e altri usi relativi all’elaborazione dei big data. La società afferma che la DRAM LPDDR5X offre velocità di trasmissione dati fino a 8,5 Gbps (1,3 volte più veloce rispetto ai dispositivi LPDDR5 da 6,4 Gbps esistenti) e consuma circa il 20% in meno rispetto alla memoria LPDDR5.
L’azienda ha anche presentato il suo primo modulo di memoria DRAM che supporta il nuovo standard di interconnessione Compute Express Link (CXL) nonché DRAM per impiego automotive da 2 GB GDDR6 e 2 GB DDR4, progettate per veicoli autonomi e sistemi di infotainment ad alte prestazioni.
Al secondo posto con una quota di mercato DRAM del 28%, nel 2021 si è piazzata SK Hynix, le cui vendite di DRAM sono aumentate del 39% a 26,6 miliardi di dollari. Le DRAM hanno rappresentato circa il 71% delle vendite totali di semiconduttori dell’azienda nel 2021. Questa la suddivisione per tipologia: DRAM per server, 40%; DRAM mobile, 35%; DRAM del PC, 15%; DRAM consumer e grafica, 5% ciascuna.
Nel 2021, SK Hynix ha rilasciato quella che si dice fosse la DRAM DDR5 con le prestazioni più elevate del settore, in grado di trasmettere 163 film Full HD in un secondo. Il chip, che si chiama HBM3, rappresenta la terza generazione di High Bandwidth Memory di SK Hynix.
Come Samsung, anche SK Hynix ha iniziato a utilizzare la litografia EUV per la produzione in serie di DRAM LPDDR4 da 8 Gb basata sul suo processo di quarta generazione a 10 nm chiamato processo 1-alpha (1α nm).
Micron è stato il terzo fornitore di DRAM nel 2021, con un fatturato di 21,9 miliardi di dollari. Le vendite di DRAM di Micron sono aumentate del 41% e hanno rappresentato il 23% della quota di mercato globale. Nel complesso, la DRAM ha rappresentato circa il 73% delle vendite totali di circuiti integrati dell’anno solare di Micron, pari a circa 30 miliardi di dollari.
Nel 2021, Micron ha introdotto il suo nodo di memoria 1α nm, progettato in parte per supportare la transizione dei data center alla DRAM DDR5, guidato da nuove piattaforme CPU che dovrebbero iniziare a crescere entro la fine dell’anno e guadagnare slancio nel 2023. La DRAM 1α nm di Micron viene impiegata anche in applicazioni di comunicazione a bassa potenza, inclusi gli smartphone 5G.
Micron produce la sua DRAM 1α nm utilizzando una tecnica che non richiede litografia EUV. Tuttavia, la società ha effettuato ordini per apparecchiature EUV e prevede di passare alla tecnologia EUV per produrre la sua DRAM utilizzando il suo nodo 1-gamma (1ɣ) nm a partire dal 2024.
